Патент ссср 403033

403 . "

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 07Х!1.1971 (№ 1678537/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 19.Х.1973. Бюллетень ¹ 42

Дата опубликования описания 31.1.1974

М. Кл. Н 03k 3,,,335

Государственныи комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий

УДК 622.374(088.8) Авторы изобретения

A. К. Старов и Л. А. Кабалкина

Государственное Союзное конструкторско-технологическое бюро по проектированию счетных машин

Заявитель

ОДНОВИ БРАТОР

Изобретение относится к области импульсной техники п может быть использовано, в частности, при проектировании формирователей импульсов с большой величиной времени задержки в интегрально-гибридном исполнении.

Известен одновибратор, содержащий два основных транзистора и дополнительный транзистор другого типа проводимости, коллектор которого подключен к базе второго основного транзистора, а база к его коллектору, эмиттерные повторители на транзисторах, времязадающий конденсатор и две цепи положительной обратной связи.

Однако известное устройство имеет ограниченную область применения за счет ограничения верхнего предела напряжения источника питания и низкую надежность работы, С целью расширения пределов питающих напряжений и повышение надежности в предлагаемом одновибраторе параллельно времязадающему конденсатору включена цепь, состоящая из последовательно соединенных диода и конденсатора, между коллектором первого основного транзистора и времязадающим конденсатором включен другой диод, а в эмиттерную цепь транзистора эмиттерного повторителя второго основного транзистора подключен источник напряжения смещения через резисторный делитель, средняя точка которого соединена с базой первого основного транзистора.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного устрой5 ства.

Устройство содержит два основных транзистора 1, 2, дополнительный транзистор 3 и согласующие эмиттерные повторители иа транзисторах 4 — 6, диоды 7 — 10, конденсато10 ры 11 — 14 и резисторы 15 — 26.

Транзисторы 1 и 5, конденсатор 12, диоды

8 и транзисторы 2, 6 и 1 образуют первую, а транзистор 2, резистор 24, база-коллектор транзистора 3 и база транзистора 2 — вторую

15 цепь положительной обратной связи.

При подаче на вход 27 отрицательного импульса транзисторы 4 и 1 открываются.

Конденсаторы 12 и 13, предварительно заряженныс до коллекторного напряжения, под2Э ключаются через прямое сопротивление диода

7 и открытый транзистор 1 к общей шине.

При этом конденсатор 13, разряжаясь, запирает транзистор 2, подготавливая вторую цепь положительной обратной связи к форми25 рованшо основного импульса.

Одновремеш о за счет положительного импульса па диоде 9 формируется малая величина фронта нарастания напряжения на выходе 28. Этим напряжением открывается тран30 зистор б, в результате чего отрицательный по4КОЗЗ

ЦНИИПИ

Заказ 107!19 Изд. Ха 2053

Тираж 780 Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 тенциал передается на базу транзистора 1, поддерживая его в открытом состоянии в случае малой деятельности входного импульса, На выходе 28 присутствуст отрицательный уровень напряжения.

1(онденсатор 12, разря>каясь, отпирает диод

8 и транзистор 2. При этом на резисторе 23 создается падение напря>кения, открывающее ускоряющий транзистор 3, коллекторный ток которого, втекая в базовую цепь транзистора

2, увеличивает коллскторный ток. В результате этого происходит лавинообразный процесс

Во второй пепи поло>к!ггсльнон oopIITIIoll связи. 1(онденсатор 14 в момент отпирания транзистора 3 заря>кастся, формируя малую величину во времени спада напряжения коллск Iор-эмнттер транзистора 2.

При открытом транзисторе 2 с делителя на резисторах 25, 26 положительный уровень напряжения подается через резистор 17 на базу транзистора 1, резко перезаряжая его база-эмиттерную емкость в положительную область, в результате чего транзистор 1 быстро закрывается.

Вслед за этим открывается транзистор 5, конденсаторы 12 и 13 заря>каются, создавая уменьшенную величину времени готовности к приему следующего импульса. На выходе 28 после открывания транзистора 2 формируется нулевой уровень.

Таким образом, эмиттерный повторитель на транзисторе 6 согласует по мощности логические элементы с выходным каскадом, осуществляет положительную обратную связь первой цепи и автоматически создает уровень зашиты входной цепи одновибратора от помех с выхода логических элементов. Отсюда максимально допустимое обратное напряжение не превышает прямого падения напряжения на диоде при худших условиях на переходе

5 база-эмнттер транзистора 2.

Одновременно напряжения на переходе база-коллектор закрытого транзистора 2 и на коллекторе-эмиттерс закрытого транзистора 3 примерно равны величине Ен, что позволяет

10 использовать предлагаемое устройство на бескорпусных транзисторах в интегральном исполнении нри создании одновибраторов с болыпой вели ниной времени задержки.

15 Предмет изобретения

Одновибратор, содср>кащий два основных транзистора и дополнительный транзистор другого типа проводимости, коллектор которого подключен к базе второго основного

20 транзистора, а база — к его коллектору, эмиттерные повторители на транзисторах, времяза,1ающий конденсатор и две цепи положительной обратной связи, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов питающих

25 напря>кепий и повышения надежности, параллельно времязадающему конденсатору включена цепь, состоящая из последовательно соединенных диода и конденсатора, между коллектором первого основного транзистора и времязадающим конденсатором включен другой диод, а в эмиттерную цепь транзистора эмиттер ного повторителя второго основного транзистора включен источник напряжения смещения через резисторный делитель, сред35 няя точка которого соединена с базой первого основного транзистора.