Многофазный релаксатор

o n и !иввв

ИЗОБРЕТЕНИЯ

400032

Союз СоветскихСоциалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16.11.1970 (№ 1404481/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано ОЗ.Х.1973. Бюллетень № 39

Дата опубликования описания 7.II.1974

М. Кл. Н 03k 17/62

Н 031< 3/282

1осудврственный комитет

Соввта Министров СССР оо делам изобретений

И OTKPbJTJJJJ

УДК 621.373 52(088 8) А !3 0 р изобретения

Заявитель

T. М. Агаханян

Московский ордена Трудового Красного Знамени инженернофизический институт

МНОГОФАЗНЫЙ РЕДАКСАТОР

Предмет изобретения

Изобретение относится к радиотехн ике и»ожет быть использовано при проектировании микросхем.

Известный многофазный релаксатор, содерiKBIIJHH транзисторы с общим эмпттерным резистором, пассивные элементы, в частнос r. коллектоные и базовые резисторы, конденсаторы коллекторно-базовых связей и два источника питания, имеет большие габариты.

Цель изобретения — умен ьшение габаритов устройства в микроэлектронном исполнении.

Для этого в нем в качестве упомянуTJIx JIacсивных элементов использована двумерная распределенная RC-структура, выполненная В виде N-угольника, с двумя резистивнымп слоями, между которыми расположен диэлектрический слой, сoc, TJ!JI0JIJIbIMH oJTJJH o коллекторами транзисторов, а другой — с базами так, что каждому пз углов соответствует 1 0 !на

rIoäñoåäHJ1åJ1èJI 1-го коллектора и точка подсоединения (1+1) -й базы.

На чертеже представлена схема прсдлагасмого многофазного релаксатора.

Многообразный релаксатор содержит многоугольную двумерную RC-стру ктуру 1, состоящую из двух рсзистивных слоев 2 и 3 и одного диэлектрического слоя 4, транзисторы

5, б, 7 и 8, эмиттеры которых чсрсз общий резистор 9 соединены с общей шиной. Коллскторы транзисторов 5 — 8 подключены к углам ,резистивного слоя 3, а базы — к !резистивному слою 2, причем точка присоединения -го коллектора соответствует точке присоединения

5 (i+I)-ой базы (т. е. точка присоединения коллектора транзистора соответствует присоединению базы последующего транзистора). Для простоты на схеме изображена RC-структура с четырьмя углами.

10 Для питания рслаксатора применены источники 10 и 11 питания, присоединяемые к рсзистивным слоям 2 и 3. Перемещая точки подключения источников 10 и 11, можно изменять частоту генерации рслаксатора.

20 Многофазный релаксатор, содерх ащий транзисторы с общим эмиттерным резистором, пассивные элементы, в частности коллекторныс и базовые резисторы, конденсаторы коллекторно-базовых связей и два источника

25 питания, отлича!Оцийся тем, что, с целью уменьшения габаритов устройства в микроэлектронном исполнении, В псм в качестве пассии!ых элементов использована двумерная распределенная RC-структура, выполненная

30 В !3ИДс Х1-110,!! !Il!ка, с Д13УМЯ 13езl!cTllвными

Составитель Ю. Еркин

Техред Л. Грачева

Редактор А. Батыгин

Корректор В. Жолудева

Заказ 189/2 Изд. № 50 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб.. д. 4(5

Типография, пр. Сапунова, 2

3 г слоями, между которыми распологкен диэлектрический слой, соединенными одун- с коллекторами транзисторов, а другой — с базами так, что каждому из углов соответствует точка подсоединения /-го коллектора и точка подсоединения (+1) -й базы.