Одновибратор
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства № 315276
Заявлено 27.Х11.1971 (№ 1729976/26-9) с присоединением заявки ¹
Ilрноритет
Опубликовано 28Х!11.1973. Бюллетень ¹ 35
М. Кл. Н 03k 3!286
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УДК 621.374.44 (088.8) Дата опубликования описания 7.1.1974
Авторы изобретения
И. А. Заморин, В. А. Бровкин, Г. Н. Андреев и A. А. Зыков
Заявитель
ОДНО ВИ БРАТОР
Изобретение Относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора прямоугольных импульсов.
Известныи одновибратор по авт. св, ¹ 315276 имеет низкую помехоустойчивость.
Цель изобретения — повышение помехоустойчивости одновибратора.
Для этого к базе дополнительного транзистора подключен анод дополнительного стабилитрона, катод которого подключен к резистивно-емкостному делителю напряжения.
kIa чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого одновибратора.
Одновибратор содержит два нормально запертых транзистора 1 и 2, конденсатор 8 и резистор 4 цепи запуска, транзистор 5 каскада задержки запуска, опорный диод (стабилитрои) 6 и делитель напряжения, состоящий из резисторов 7 и 8, шунтировапный накопительным конденсатором 9. Резистор 10 является выходным сопротивлением генератора 11 импульсов.
Одновибратор работает следующим образом.
При в л|очении напряжения питания конденсатор 8 запуска заряжается через резистор
10 (выхо,гное сопротивление генератора 11) и р 3HcTop 4 цепи запуска. В начальный момент заряда конденсатора 8 потенциал базы транзистора 1 оказывается равным потенциалу источника —, Е,. i=c;iii бы эмиттер транзистора 1 был подключен и источнику — Ел, то транзистор 1 оказался бы смещенным в прямом направлешш, между транзисторами 1 и 2 возникла оы положительная ооратная связь, н одновибратор произвел бы ложное срабатывание. Благодаря подключению эмнттера тран3HcTopel 1 к колленTop) транзистора о этОГО
10 не происходит.
Проводимость транзистора 5 в переходном режиме зависит от величины потенциала накопительного конденсатора 9 и потенциального барьера опорного диода 6, а в установив15 шемся режиме — от величины резисторов 7 и 8.
При Включении источника питания Еуа накопите. »ii»IIi «OHTeiica lop 9 заряжается Ieрез резистор 7. В начальный момент зарядя накопительного конденсатора 9 потенциал ба20 зы транзистора 5 оказывается равным потенциалу источника — Е, и транзистор 5 Ile npo",îäèò. Цепь связи эмиттера тра> зистора 1 оказывается отк:iio ieHIIoli от источника — Ll,. Ilo мере зарядя конденсатора 9 через резистор 7
25 нарастает поте iilHH;i ня базе опорного диода 6.
Транзистор я каскада задержки запояска GcTHется запертым.
Как Toлько HOTcHIIH3.ti IIH обкладке сатора 9 достигнет отснппяльного барьера
30 опорного диода 6, последний пробивается, па
395972
Составитель Ю. Еркин
Техред 3. Тараненко
Редактор А. Батыгин
Корректор Л. Царькова
Заказ 3605/13 Изд. № 919 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раугиская наб.. д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 базе транзистора 5 появляется положительный потенциал, и эмиттерный переход транзистора становится проводящим.
Введение опорного диода 6 в цепь базы транзистора 5 повышает потенциал заряда конденсатора 9, чем увелпчивастся время заряда этого конденсатора и, следовательно, «ключепие каскада задержки.
С появлспием на входе одновибратора импульсов запуска в общей цепи транзисторов / и 5 появляется коллскторный ток, равный ток1 базы транзистора 2. Возникаст положительная обратная связь между коллсктором транзистора 2 и базой транзистора 1, и одповибратор вырабатывает прямоугольный импульс заданной длптсльности.
Предмет изобретения
Одповибратор по авт. св. № 31527б, oTëèпаюи1ийс. i тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, к базе дополнительного
10 транзистора подключен анод дополнительного стабилитрона, катод которого подключен к резистивно-емкостному делителю напряжения.
