Двухтактный усилитель

- ехиц;,„- - аМФ, 1",,"

«1,М, Р..л .-нот к„- |, ; д -:. и 1, ОПИСАНИЕ 39380l

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 10.Х1.1971 (№ 1713287/26-9) с присоедипепнем заявки—

Пр ио ритст—

Опубликовано 10Х|11.1973. Бюллетень ¹ 33

Дата опубликования описания 10.V1.1974.

М. Кл. Н 03f 3,/26

Гасударственный комитет, 1

Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий

УДК 621.375.026(088.8) Авторы изобретения

3. П. Тарасов и Н, Л. Ефременко

Заявитель

ДВУХТАКТН Ъ|Й УС ИЛ ИТЕЛ Ь

Изобретение относится к радиотехнике.

Известны д вухтактные усилители мощности с защитой от короткого замыкания нагрузки, содержащие в одном плече вход|ной и выходной транзисторы, включенные по схеме с общим,эмиттером, а,в друго м плече— входной и выходной п ранзllcтopbI, включенные:по схеме с общим коллектором.

Цель изооретения —,повышение коэффициента усиления напряжения и улучшение за щиты усилителя от перагрузо1к. Достигается она подключением коллектора входного транзистора одно го из плеч предлагаемого двухтактно го усилителя через резисторы к базе управляющего транзистора и к шине источника питания.

||а чертеже представлена схема усилителя.

Вход 1 соединен с базами входных тран зисторов 2 и 8, ра ботающих соответственно по схеме с общим, коллектором и с общим эмиттерооь

Эмиттер входного транзистора 2 соединен с базой выходного транзистора 4, работающего по схеме с общим коллектором.

Коллектор входного транзистора 3 соединен с базой выходного транзистора 5, работающего по схеме с обобщим эмиттером.

Транзистор 4 подключен эмиттером к коллектору транзистора 5 и к выходу б усилителя, коллектором — через резистор 7 к полюсу 8 источника питания и базой — к лолюсу

9 источника питания через резисторы 10 и 11.

Транзистор 5 соединен с полюсом 9 источ5 ника питания базо|й через резистор 12 и эмиттером через стабилитрон 18.

Коллектор транзистора 4 подключен к эмиттеру управляющего транзистора 14, коллектор которого соединен с эмиттером

10 транзистора 3 через последовательно выключенные резисторы 15 и 1б.

База транзистора 14 подключена через резистор 17 и конденсатор 18 к выходу б усилителя.

15 Эмиттер транзистора 8 подключен к выходу усилителя через резистор 1б и конденсатор 19.

Коллектор транзистора 2 подключен,к базе транзистора 14 ч рез резистор 20 и к полю20 су 8 источника питания — через резистор 21, Эмиттер транзистора 2 подключен к,выходу б усилителя через последовательно соединенные резистор 10 и конденсатор 22.

Коллектор транзистора 4 подключен к по25 люсу 8 источника питания через последовательно соединенные ста билитроны 28 и 24, общая точка которых подключена к коллектору транзистора 2. В статическом режиме ток покоя транзи3О сторон 2 — 5 и 14 задается транзистором 2, 393 801 эмиттерны|й ток которого определяется colIIpoтивлением резисторов 10 и 11.

Коллекторный ток транзистора 2 создает падение напряжения постоянного то|ка на резисторе 21, которое является опорным напряжением для управляющего транзистора 14 и о пределяет падение на пряжения постоянного тока на резисторе 7, т. е. ток IloKîÿ выходных транзисторов 4 и 5, управляющего транзистора 14 и входного транзистора 8.

В динамическом режиме, когда на выходе усилителя развивается мощность переменного тока, при ра боте верхнего плеча усилителя токи транзисторов 2 и 4 нарастают, а транзисторы 8, 5 и 14 закрываются, стабилитроны 28 и 24 шунтируют резисторы 21 и 7, предотвращая потери напряжения в этих цепях.

Когда работает нижнее плечо усилителя. нарастают токи т ранз исто ров 8 си 5 что определяется режимом ра боты у1правляющего транзистора 14. При этом транзистор 14 управляется TolKovl транзистора 2 (закрывается), выходным напряжением через резистор

17 и;конденсатор 18 (открывается) и TQIKoi1 транзистора 4 (открывается); решающими факторами управления являются,два последних, IIIoýòoìó TQK управляющвго транзистора

14 увеличивается.

Ток через |резистор 10,практически постоянен, а ток через резистор 11 определяется мгновенными изменениями выходного напряжения усилителя мощности.

При коротком замыкании выхода б усилителя, когда на его вход 1 подается напряжение переменното тока и должно .работать нижнее плечо усилителя, режим последнего определяется режимом транзистора 14.

Так как напряжения переменного тока на выходе б нет, ток через резистор 17 и конденсатор 18 отсутствует. Транзистор 14 управляется то ками транзистора 4 (открывается и транзистора 2 (закрывается); решающим фактором управления является второй.

Так,как эмиттер транзистора 2 замыкается на выход б через резистор 10 и конденсатор 22, его ток уменьшается пра|ктически до нуля. При этосм исчезает опорное напряжение на резисторе 21, и транзистор 14 закрывается.

1ð Благодаря этому закрываются транзисторы 8 — 5, и переменный ток на выходе б усилителя отсутствует; изменившийся заряд конденсатора 22 сохраняется в течение не скольких периодов сигналов, поддерживая закрытое

15 состояние транзисторов усилителя.

Свойства усилителя сохраняются при .замене всех тра нзисто ров противополож ными по ти пу проводимости.

20 Предмет изобретения

Двухтактный усилитель мощности с защитой от короткого замыкания нагрузки, содержащий в одном плече входной и выходной

25 транзисторы, включенные по схеме с общим эмиттером, а в другом — входной и выходной транзисторы, выключенные по схеме с îощам коллектором, причем эмиттер входного тра нзисгора пер вого:плеча соединен сколлекЗо тором выходного транзистора второго плеча через управляющи и транзистор, база которо Do подключена через КС-цепочку к вых оду усилителя, отличающийся тем, что, с целью повышвния коэффициента усиления напр яжения,и улучшен ия защиты усилителя от перегрузок, коллектор, входного транзистора второго плеча подключен через резисторы к базе у правляющего гранзистора и к шине источ40 ника питания.

393 801

Составитель Н. Дубровская

Текрсд 3. Тараненко Редактор Б. Федотов

Корректор Т. Хворова

Типография № 16 Областного управления по делам издательств, полиграфии и книжной торговли.

Харьков, Университетская, !6

Заказ 3 — 3625 Изд. № 9!5 Тираж 768 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретении и открытий. Москва, М-35, Раушская наб., д. 4, 5