Быстродействующий мультивибратор

39I7I2

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 28.XI I.1970 (№ 1615784/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 25Х11.197i3. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 6.XII.1973

М. Кл. Н 03k 3/30

Государстеенны& комитет

Совета Миннстроа АЗССР по делам изооретеннй и открытий

УДК 621 373.52(088.8) Автор изобретения

С. Д. Шпота

Минский радиотехнический институт

Заявитель

БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора прямоугольных импульсов в устройствах вычислительной техники и автоматики.

Известен быстродействующий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, содержащий один времязадающий резистор, подсоединенный одним выводом к базам транзисторов посредством двух полупроводниковых диодов, и два дополнительных полупроводниковых диода.

Цель изобретения — повышение надежности и сокращение схемных элементов. Для этого другой вывод времязадающего резистора подсоединен через дополнительные полупроводниковые диоды к коллекторам транзисторов мультивибратора.

На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предлагаемого быстродействующего мультивибратора.

Он содержит транзисторы 1 и 2, времязадающий резистор 8, один вывод которого через диоды 4 и 5 подсоединен к базам транзисторов. Второй вывод резистора 8 подключен к коллекторам транзисторов через диоды б и 7.

Диод 4 и база транзистора 2 через конденсатор 8 соединены с коллектором транзистора 1.

Диод 5 и база транзистора 1 через конденсатор 9 соединены с коллектором транзистора 2.

В коллекторные цепи транзисторов 1 и 2 включены резисторы 10 и 11.

В одном из квазиустойчивых состояний транзистор 1 находится в режиме насыщения, транзистор 2 — в режиме отсечки, конденсатор 8 разряжается через диод 4, резистор 8, диод 7, 5 резистор 11, источник питания и эмиттер-коллекторный переход насыщенного транзистора

1. В течение времени разряда конденсатора 8 диоды 5 и б находятся в закрытом состоянии, так как их р — п-переходы смещены в обратном

10 направлении. Транзистор 1 находится в насыщении под действием тока заряда конденсатора 9, который протекает через резистор 11, источник питания, переход эмиттер — база насыщенного транзистора 1.

15 По мере разряда конденсатора 8 потенциал база — эмиттер транзистора 2 понижается и как только станет равным потенциалу отпирания транзистор 2 открывается. К этому времени заряжается конденсатор 9, ток в базе транзисто20 ра 1 прекращается, и транзистор 1 закрывается.

Транзистор 2 открывается под действием тока заряда конденсатора 8, который протекает по цепи резистор 10, источник питания, пере25 ход эмиттер †ба транзистора 2. Конденсатор 9 разряжается по цепи диод 5, резистор 3, диод б, резистор 10, источник питания, эмиттер-коллекторный переход насыщенного транзистора 2. Далее процессы повторяются.

30 Схема предлагаемого быстродействующего мультивибратора позволяет значительно умень391712

Предмет изобретения

Составитель Ю. Еркин

Техред Л. Грачева

Корректор Е. Хмелева

Редактор T. Фадеева

Заказ 3254/11 Изд. № 813 Тираж 780 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 шить величину резистора 3 (до 6 — 7 ком при величине сопротивления резисторов 10 и 11

1 ком), оставив сравнительно большими величины емкостей конденсаторов 8 и 9 (до

500 аф) .

При этом сохраняется достаточно большая крутизна переднего фронта импульса и обеспечивается высокая частота автоколебаний в режиме мягкого самовозбуждения (до 250 кгц

»а транзисторах МП16Б).

Амплитуда выходного импульса мультивибратора близка к величине напряжения питания при соотношении величин резисторов 8, 10 и

11 Рз=З,3 Я о=3,SR> (Rq, Рю и Ры — величины сопротивлений резисторов 3, 10 и 11).

Быстродействующий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, содержащий один времязадающий резистор, подсоединенный одним выводом к базам транзисторов посредством двух полупроводниковых диодов, и два дополнительных полупроводниковых диода, отличающийся тем, что, с

1о целью повышения надежности и сокращения схемных элементов, другой вывод времязадающего резистора подсоединен через дополнительные полупроводниковые диоды к коллекторам транзисторов мультивибратора.