Генератор импульсной последовательности
- - ли, У / /,/
ОП ИСАЙКЕ
ИЗОБРЕТЕЙИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 12.Х.1970 (№ 1480483/26-9) М. Кл. Н 031< 3/78 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 21.V1.1973. Бюллетень ¹ 27
Дата опубликования описания 1.Х.1973
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изоаретений и открытий
УДК 621.373.43(088.8) Авторы изобретения
М. А. Ананян и Е. Б. Алексеев
Московский ордена Ленина энергетический институт
Заявитель
ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСНОЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ
Изобретение относится к области наносекундной импульсной техники и может быть использовано при создании генераторов кодовых комбинаций, программируемых генераторов и т. д.
Известный генератор импульсной последовательности, содержащий усилитель, к эмиттеру транзистора которого подключен вход активной линии задержки, коллектор ключевого транзистора и вход генератора пачки импульсов, причем к эмиттеру ключевого транзистора подключен диод с накоплением заряда, а к его базе — анод туннельного диода, обладает н/изким быстродействием.
Цель .изобретения — повысить быстродействие генератора и увеличить диапазон регулирования скважности. Для этого в него дополнительно введены две активные линии задержки, входы которых подключены к като- 20 ду диода с накоплен/ием заряда и к выходу генератора пачки импульсов, причем выходы дополнительных активных линий задержки объединены между собой и подключены к катоду туннельного диода, анод которого соеди- 25 нен через резистор с активной линией задержки, включенной в цепь эмиттера транзистора усилителя.
На чертеже .изображена принципиальная электрическая схема предлагаемого генератора.
Он содержит усилитель на транзисторе 1 и резисторах 2 — 5. К эмиттеру транзистора подключен вход активной лини/и задержки 6, коллектор ключевого транзистора 7 и вход генератора 8 пачки импульсов. К эмиттеру транзистора 7 через резистор 9 подключен диод 10 с накоплением заряда, а к базе транзистора 7 через конденсатор 11 — анод туннельного диода 12.
К катоду диода 10 с накоплением заряда через конденсатор 18 подключен вход активной лини/и задержки 14, вход активной линии задержки 15 подключен к выходу генератора 8. Выходы линий задержки 14.и 15 объединены и подключены к каторгу туннельного диода 12, анод которого через резистор 16 подключен к активной линии задержки 6.
Точка соединения резистора 9 и диода 10 с накоплением заряда через диод 17 соединена с конденсатором 18, вторая обкладка которого подключена к базе транзистора 1.
Кроме того, генератор содержит резисторы
19 — 28 и клемму запуска 24.
Работает предлагаемое устройство следующим образом.
Сигнал запуска поступает на базу транзистора 1 с клеммы 24 и переводит его в со387510
Предмет изо бр етени я
Составитель Ю. Еркин
Техред Л. Богданова Корректоры: М. Лейзерман и Н. Прокуратова
Редактор Т. Фадеева
Заказ 2705711 Изд. № 705 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-З5, Раугпская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 стояние насыщения, за счет чего на резистор
3 поступает перепад напряжения, который запускает генератор 8 импульсной последовательности, и с некоторой задержкой, обусловленной длиной линии задержки б, переключает туннельный диод 12 на диффузионную ветвь его вольтамперной характеристики, тем самым вводя в насыщение транзистор 7 и закорачивая положительный перепад на землю. Генератор 8 отрабатывает импульсную последовательность. Появившийся на катоде диода 10 с накоплением заряда положительный перепад напряжения поступает по цепочке обратной связи на катод туннельного диода 12, производя сброс туннельного диода.
Через линию задержки 14, формирователь заднего фронта на диоде 10 с накоплением заряда и диод 17 положительный перепад поступает на базу транзистора 1.
Схема готова к работе. Цикл повторяется автоматически.
Генератор импульсной последовательности, содержащий усилитель, к эмиттеру транзи5 стора которого подключен вход активной линии задержки, коллектор ключевого транзистора и вход генератора пачки импульсов, причем к эмиттеру ключевого транзистора подключен диод с накоплением заряда, а к
10 его базе — анод туннельного диода, отличагои ийся тем, что, с целью повышения быстродействия и увеличения диапазона регулирования скважности, в него дополнительно введены две активные линии задержки, входы
15 которых подключены к катоду д иода с накоплением заряда и к выходу генератора пачки импульсов, причем выходы дополнительных активных линий задержки объединены между собой и подключены к катоду туннельного
20 диода, анод которого соединен через резистор с активной линией задержки, включенной в цепь эм иттера транзистора усилителя.
