Мультиви'братор на мдп транзисторах

О Il И С А Н И Е 3875О2

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24.V.1971 (№ 1 660270 "25-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.VI.1973. Бюллетень № 27

Дата опубликования описания 25.IX.1973.т1. Кл. Н ОЗЙ 3/281

Комитет по делам изобретений и открыти при Совете Ынтткстров

СССР

УДК 621.373.52(088.8) Автор изобретения

E И. Андреев

Заявитель

МУЛЬТИ ВИ БРАТОР НА МДП ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для создания генераторов тактовых импульсов и нормированных задержек сигнала в цепях цифровых устройств на МДП структурах.

Известны мультивибратор на МДП транзисторах, содержащий два ключа с нагрузочными транзисторами в стоковой цепи и с перекрестной емкостной связью между затвором одного ключевого транзистора и стоком другого, обладает нелинейной зависимостью длительности выходного импульса от входного напряжения.

Цель изобретения — линеаризация зависимости длительности выходного импульса мультивибратора на МДП транзисторах от входного напря>кения. Для этого в каждую из времязадающих цепей мультивибратора включен транзистор, затвор которого подключен к средней точке делителя напряжения пигания на двух транзисторах, у которых затворы соединены со стоками.

На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предлагаемого мультивибратора на МДП транзисторах.

Он содержит МДП транзисторы 1 и 2, включештые по схеме с общим истоком с нелинейной стоковой нагрузкой ввиде МДПтранзисторов 8 и 4 соответственно.

К стокам транзисторов 1 и 2 подключены обкладки конденсаторов 5 и б, другие обкладки которых подключены к стокам транзисторов 7 и 8 и к затворам транзисторов 1 и 2 соответственно. Транзисторы 7 и 8 включены по схеме с общим истоком, а их затворы подключены к делителю напряжения питания на транзисторах 9 и 10, у которых соединены затвор и сток. К клеммам 11 и 12 подключены

10 стоки и затворы транзисторов 9,3,4 и стоки транзисторов 10, 1, 7,8 и 2.

Крутизна фронта, формируемого при запирании транзистора 1 (или 2), определяется удельной крутизной нагрузочного транзистора

8 (или 4) и емкостью конденсатора 5 (или б).

Стабильность напряжения на стоке закрытого транзистора 1 (или 2) определяется отношением величин удельной крутизны транзисторов

8 и 8 (или 4 и 7) и я на затворе

20 транзистора 7 (или 8), т. е. отношением величин удельной крутизны транзисторов 9 и 10.

Длительность квазиустойчивого состояния определяется эффективным значением емкости конденсатора 5 (или б), удельной крутизной

25 транзистора 8 (или 7) и напряжением на затворе последнего.

Рассмотрим работу мультивибратора с момента, когда транзистор 1 только что открыт, а транзистор 2 только что закрыт. Кондеаса30 тор 5 заряжен, конденсатор б имеет разность

3875«02

Составитель Ю. Еркин

Техред Е. Борисова Корректор М. Лейзерман

Редактор T. Фадеева

Заказ 2638/14 Изд. № 726 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-36, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 потенциалов обкладок Uo6 =0ост.— д, где U«, — остаточное напряжение на выходе ключевого каскада, а U — напряжение отпирания диода образуемого стоковой диффузионной областью транзистора 7 (или 8) и материалом подложки. В следующий момент происходит формирование фронта импульса на стоках транзисторов 1 и

2. Длительность фронта на стоке транзистора

1 определяется разрядом конденсатора 5 по цепи сток — исток транзистора и сток — подложка транзистора 8.

После разряда конденсатора 5 транзистор 2 остается запертым. Фронт импульса на стоке транзистора 2 определяется зарядом паразитной емкости через нагрузочный транзистор 4.

Транзистор 1 удерживается в открытом состоянии до тех пор, пока зарядится конденсатор б по цепи сток — исток транзистора 7, источник питания (клеммы 12 и П), сток— исток транзистора 4.

Параметры делителя напряжения на транзисторах 9 и 10 должны быть выбраны таким образом, чтобы транзисторы 7 и 8 работали в

4 режиме насыщения по току, Отклонение параметров транзисторов 7 и 8 во времязадающих цепях мультивибратора компенсируется изменением напряжения на выходе делите5 ля 9 (10) в связи с тем, что это напряжение определяется в основном параметрами транзистора 10, а отклонение параметров всех элементов схемы на одной подложке происходят в одну сторону.

Предмет изобретения

Мультивибратор на МДП транзисторах, содержащий два ключа с нагрузочными транзисторами в стоковой цепи и с перекрестной ем15 костной связью между затвором одного ключевого транзистора и стоком другого, отличаюи ийся тем, что, с целью линеаризации зависимости длительности выходного импульса от входного напряжения, в каждую из

20 времязадающих цепей мультивибратора включен транзистор, затвор которого подключен к средней точке делителя напряжения питания на двух транзисторах, у которых затворы соединены со стоками.