Тонкопленочный магнитный элемент

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

347796

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 17.VIII.1971 (№ 1684913 18-10) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 10.VIII.1972. Бюллетень ¹ 24

Дата опубликования описания 04.Х.1972

Ч. Ь;л. G 11с 11/14

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

3Д,К 621.318.1(088.8) Авторы изобретения

М. И. Гришечкии, Т. Ф. Мартыненко и Ю. Н. Добротин

Заявитель

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МАГНИТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к статическим чакопителям информации, а именно к Tонкопле ночным магнитным элементам.

Известны тонкопленочные магнитные элементы, у которых пстдложка выполнена из сплава алюминия и марганца, содержащие также слой сплава никеля, железа и кобальта, сопряженный со слоем моноокиси кремния.

В таких элементах увеличение однородности их параметров связано с одновременным уменьшением порога разрушения информации.

Цель изобретения — увеличение однородности параметров тонкопленочного магнитного элемента при одновременном увеличении порога разрушения информации.

Для этого в предлагаемый элемент введены слой алюминия, размещенный между подложкой и слоем моноокиси кремния толщиной 0,5 — 1,5 мк, и дискретные вкрапления меди в слое сплава никеля, железа и кобальта, имеющем толщину 0,04 — 0,13 мк. Слой алюминия выполнен с периодом поверхностной шероховатости 0,1 — 10 мк, а дискретные вкрапления меди — с толщиной 0,001—

0,0055 мк.

На чертеже изображен один из возможных вариантов предлагаемого тонкоплечочного магнитного элемента.

На подложке 1 из сплава алюминия и марганца, содержащего 98,6% алюминия и

1,4% марганца, размещен слой 2 алюминия толщиной 0,05 — 0,07 лтк, имеющий период по5 верхностной шероховатости 0,1 — 10 мк.

Между слоем 2 алюминия и слоем 8 сплава никеля, железа и кобальта, выпол: енныхт толщиной 0,04 — 0,13 мк. расположе:I слой 4 моноокиси кремния, имеющий толщину 0,5—

10 1,5 мк. Внутри слоя 8 на расстоянии 0,2—

0,65 мк от слоя 4 размещены дискретные крапления 5 меди толщиной 0,001 — 0,0055 мк.

Наличие слоя 2 «люм:птия с периодом поверхностной шероховатости 0,1 — 10 ттк и дис1 кретны. вкраплений 5 меди приводит к уменьшению разброса и".ð«÷åTðîâ тонкопленочного магнитного элемента и одновременному увеличению псгога разрушения и: формацгги.

Предмст изобрете:III>I

Тонкопленочный магнитный элемент, содержащий подложку из сплава алюминия и марганца, слой сплава никеля, железа II ко25 бальта и слой монсокисп кремния, от.личатоитийся тем, что, с целью увеличения однородности параметров тонкопленочного магнитного элемента при одновременном увеличении порога разрушения информации, в него введены слой

30 алюминия. размещенный между подложкой и

347796

Составитель Ю. Розенкранц

Техред Т. Ускова Корректор Е, Зимина

Редактор Т. Иванова

Заказ 394/1555 Изд. № 1107 Тираж 406 Подписн<

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тпп. Харьк. фил. пред. <Патент» слоем моноокиси кремния, имеющи1м толщину 0,5 — 1,5 мк, и .дискретные вкрапления меди, расположенные внутри слоя сплава никеля, железа и: ооальта, имеющего толщину

0,04 — 0,13 мк, причем слой алюминия выполнен с периодом поверхностной шероховатости 0,1 — 10 мк, а дискретные вкрапления меди — с толщиной 0,001 — 0,0055 мк.

Тонкопленочный магнитный элемент Тонкопленочный магнитный элемент 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх