Способ изготовления тонкопленочных терморезисторов

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

361471

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 08,т/!!.1971 (№ 1678893/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

М. Кл. Н 01с 17/00

Н 01с 7/04

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 07.Xll.1972. Бюллетень № 1 за 1973

Дата опубликования описания 5.!!!.1973

УДК 621.316.825:62! .396. .69(088.8) Авторы изобретения

В. Ф. Зорин, П. Е. Кандыба и В. И. Шепелев

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

TEPM0PÅ3 И СТО РО В от 62 — 70% от 18 — 30% от 8 — 12%, МпвОа

СОаОз

СпО

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к способу вакуумно-термического напыления тонкопленочных терморезисторов, используемых в качестве элементов тонкопленочных .микросхем.

Известен способ изготовления тонкопленочных терморезисторов путем нанесения на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди.

Недостатком известного способа является низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и недостаточная стабильность изготовляемых терморезисторов.

По предлагаемому способу с целью повышения ТКС и стабильности терморезисторов смесь окислов марганца, кобальта и меди .методом термического испарения в вакууме наносят на предварительно осажденный тем же методом на подложку слой окиси марганца.

Согласно изобретению терморезисторы по- лучают методом вакуумно-термического напыления термочувствительной пленки на основе полупроводниковых окислов марганца, меди и кобальта толщиной 600 — 800A на предварительно осажденный в этом же технологическом цикле подслой окиси марганца толщиной 100— о

300 А с последующим отжигом пленки на воздухе при температуре 400 — 500 С в течение

6 — 8 час для увеличения ТКС. Г!одслой окиси марганца повышает адгезию термочувствительной пленки к подложке, снижает внутренние напряжения в пленке, что увеличивает ее стабильность. В качестве испаряемого материала для термочувствительной пленки подобран состав полупроводниковых окисей марганца, кобальта и .меди в следующих весовых соотношениях: а в качестве материала подслоя, не снижаю15 щего термочувствительность пленки, предложена окись марганца МпвО>.

В качестве электродов и контактов терморезистора с элементами микросхемы используют пленки алюминия или золота, осаждаемые

20 методом вакуумного термического напыления через .маски.

Предлагаемый способ опробован в лабораторных условиях на предприятии заявителя и позволил достичь высокой степени надежно25 сти терморезистора. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) имеет отрицательный знак, величина его 3 — 5% на градус Цельсия при температуре 20 С. Сопротивление полученных терморезисторов составляет от

30 500 ом до лтом.

Предмет изобретения

Способ изготовления тонкоплекочных терморезисторов путем нанесения на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди, отличаюи ийся тем, что, с целью повышения темпе361471

4 ратурного коэффициента сопротивления и стабильности терморезисторов, указанную смесь окислов методом термического испарения в вакууме наносят на предварительно осажденный

s тем же методом на подложку слой окиси марганца.

Составитель Л. Рубинчик

Редактор В. Фельдман Тзхред Т. Миронова Корректорвп Е. Давыдкина и В. Петрова

Заказ 389/14 Изд. № 34 Тираж 404 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2