Патент ссср 352375
352375
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетскик
C0UIIBJIIICTNV6CKNII
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 10.1.1967 (№ 11 25375)26-9),Ч, Кл. Н 03k 3 284 с присоединением зяяиси ¹
Комитет по делам з(зобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
Приоритет
Опубликовано 21.IX.1972. В(ол пстс»11 № 2S
Дата опубликования оп»сани» 24.Х.1972
УД К 621.373А31 (038.6) Автор изобретения
В. И. Турчеиков
Заявитель
СПУСКОВОЕ УСТРОЙСТВО
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в схемах автоматики и релейной защиты.
Известные спусковые устройства, содержащие транзисторы разного типа проводимости, соединенные ме>кду собой эмиттерами, имеют сложные схемы.
Схема предложенного спускового устройства упрощена благодаря тому, что коллектор одного транзистора сос (инеи чсрсз дн(?д с базой .другого транзистора и через резистор— с источником входного сигналя, подключенны м параллельно переходу коллектор — база этого же транзистора.
На фиг. 1 изображена принципиальная схема предложенного спускового устройства; на фиг. 2 — характеристика срабатывания устройства, построенная по входному току; !
la ()11!x 3 — характс1?истика с1? Ябатыв я и)(;! 110 в одному напряжению.
Предложенное спусковое устройство содержит клеммы 1 подключения входного няир»жени»; транзистор 2 и-р-и-типа проводимости; транзистор 3 1)-!1-1)-типа проводиxl()còè; резисторы 4 — б; диод 7; клемму 8 подключения отрицательного напряжения смещения; клеммы 9 подключения питания; выходные клеммы 10.
При напряжении отрицательного смещения на клемме 8, равном напряжению питания ня клеммах 9, устройство работает следующим образом.
Если Bходной ток на клемl(lax 1 равен нулю и транзистор 8 насыщен, ток, протекаю5 щий через него, определяется только величи(на?1и сопротивлений резисторов 5 и 6 и не зависит от параметров гранзисторов 2 и 8. Этот
Т(? к II p()Xn ill T (1С рСЯ IIC (? CX() I )?111TTC бсl 32 транзистора 2.
10 Если входной ток меньше тока перехода э?1 и T т с p;I 3 я T p я 1! 3 11 с т о p;1 ), T о (? и и о те l с 1 через коллекторно-базовый I)epexog транзистора 2.
Когда входной ток превысит ток эмиттерно15 базового перехода транзистора 2, напряжение на коллекторе транзистора пашет возряcтять, и и1? и дяльнсй н! См увслl(чс ниц входного тока разность этого тока и тока эмиттерно-базового перехода транзистора 2 по20 течет через диод 7 в базу транзистора 8, у (!сньн!2» Tcxl самым ток О lзы т)?янзисто)?2 2, 2 сл ;I ова (. л ьll (), и 1(? к эх!!! T! (p(? в тра! Içè(. торов 2н 3.
В результате запирающий ток через диод 7 сщс больше возрастет, а ток эмиттсров трян. зисторов 2 и 8 уменьшится и т. д., т. е. ра зовьется лавинообразный процесс, при котс ром транзисторы 2 и 8 закро!отся, я напряж(Illlc на выходи!>1 х 1(. leì ì як 10 113 ?(cllllTc»
30 скачком. При этом входной ток целиком по
