Способ удаления фоторезистного покрытия
О П И C А Н И Е 352257
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Реслтблик
Зависимое от авт. свидетельства М
М, 1 л, 6 03с 1/68
Заявлено 11.Ч.1970 (Ko 1431874/23-4) с присоединением заявки М
Приоритет
Опубликовано 21 1Х.1972. Бюллетень о 28
Дата опубликования описания 11.Х.1972
Комитет по делам изобретеиий H открьлий при Совета Министров
СССР
УДК, 776.19(088.8) Авторы изобретения
А. П. Мартыненко, Б. В. Стрижков и Н. В. Макаров
Заявитель
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТНОГО ПОКРЫТИЯ
Изобретение относится к фотолитографии и может быть использовано в микрорадиоэлектронике, полиграфической и фотолитографической промышленности.
Известен способ удаления фоторезистного покрытия с подложки кипячением изделий в концентрированной серной кислоте, хромппке или органических растворителях. Недостатками такого способа являются вредность применяемых химических веществ, а также наличие на производстве дополнительных химических операций, в связи с чем возникает необходимость в специально оборудованных noireщениях.
Цель изобретения — упрощение технологии процесса (исключение вредных и опасных технологических операций).
Эта цель достигается тем, что полимерные покрытия из фоторезистов на основе, например, 1-нафтохинон-2-диазосульфохлорида, нанесенные па защищаемую поверхность фотолитографическим способом, полностью удаляют, подвергая подложку термической обработке при 300 С в потоке любого окислительного газа.
Нагревание целесообразно проводить при давлении не менее 0,1 ати.
При этом искажений свойств основного неорганического материала, на поверхность которого наносят защитное покрытие, не происходит.
В технологии производства полупроводниковых приборов во многи.: случаях процесс удаления полимерного защитного покрытия предлагаемым способом можно совместить с процессом термодпффузпи, осуществляемым
B проточных диффузионных печах (например, с процессом диффузии бора или фосфора в кремний, проводимым в окислительной атмосфере при 1100 C) .
10 Время, на которое снимается защитная пленка толщиной несколько микрон, уменьшается с увеличением температуры, производительности вакуум-насоса и скорости струи воздуха илп окислптельного газа.
15 Ограничений на высокие температуры способ не имеет.
До 300 С защитные покрытия устойчивы.
В интервале 300 — 500 С наблюдается деструкция полимерной пленки во всех средах (воз20 дух, вакуум, сухой гелий) с большой постоянной скоростью, причем в отличие от эндотермического эффекта в гелии в окислительной среде наблюдают выделение тепла.
Установлено, что в вакууме при Р(10 — з торр
25 процессы деструкции протекают как в гелии, а при P)10 — торр — как на воздухе.
Пример. Подложку кремния с нанесенным на нее фотолптографическим способом защитным покрытием из позитивного фото30 резиста на основе эфира 1-нафтохинон-2диазид-5-сульфохлорида нагревают в печи