Позитивный фоторезист
Q П И С А Н И Е 3324!3
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. G 03с 1/68
Заявлено 05.Ч1.1970 (№ 1445813/23-4) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 14 111.1972. Бюллетень № 10
Дата опубликования описания 20ЛЧ.1972
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 771.534.1(088.8) Авторы изобретения
А. П. Мартыненко, Н. В. Макаров и В. Г. Никольский
Заявитель
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ
Изобретение относится к области фотолитографии и может быть использовано в микрорадиоэлектронике, полиграфической, фотографической и кинематографической прои ы шл ен ности.
Известен фоторезист на основе полиэтилена, светочувствительной добавки — бензофенона и растворителя. Позитивные фоторезисты на основе нафтохинондиазида обладают достаточной чувствительностью при контактном экспонировании, а в случае проекционного экспонирования их чувствитсльность оказывается недостаточной.
Цель изобретения — повышение квантового выхода реакции фотолиза позитивных фоторезистов на основе 1-нафто-2-диазо-5-сульфохлорида.
Эта цель достигается тем, что в качестве сенсибилизаторов фоторезистных слоев на основе 1-нафто-2-диазо-5-сульфохлорида применяют производные бензофенонового ряда, замещенные окси- и галоидгруппой, например
4,4-диоксибензофенон, трийод-2,3,4-оксибензофенон, 4-метокси-4-оксибензофенон, трибром2,3,4,4-оксибензофенон, дибром-4,4-оксибензофенон, добавляемые в растворы позитивного фоторезиста в концентрации 10 — - —
10 моль/л.
Пример. В раствор композиции позитивного фоторезиста вводят трийод-2,3,4,4-оксибензофенон в концентрации 10- моль/л выдерживают в темноте в течение двух суток при 20 — 30 С для полного растворения компонентов.
Затем при красном свете в коаксиальный конденсатор вертикальной центрифуги, вращающейся со скоростью 1500 об(мин, помещают пластину из кремния, на которую по оси вращения при включенной центрифуге
10 наносят одну каплю (0,3 см ) приготовленного раствора.
Далее пластину с пленкой фоторезиста в несколько микрон сушат 30 мин при 100 С в темном муфеле с вытяжной вентиляцией.
Светочувствительное покрытие пластины экспонируют нефильтрованным светом лампы
ДРМ-250 в течение 3 сек, проявляют в
2%-ном водном растворе тринатрийфосфата при красном свете и фиксируют в течение
20 1 час при 125 С в темном муфсле с вытяжной вентиляцией.
Предмет изобретения
Позитивный фоторезист на основе нафто25 хинондиазида, светочувствительной добавки и растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения квантового выхода реакции фотолиза, в качестве светочувствительной добавки применяют производное бензо30 фенона.
