Негативный фоторезист

327433

ОП ИСА НИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советскин

Социалистическими

Ресоублин

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 02.V11.1969 (№ 1342794/23-4) М. Кл. Ст 03с 1/68

Ь с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.1.1972. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 6.I I I.1972 комитет ло делам иаобретеиий и отнрьаий ор» Совете Мииистров

СССР

Авторы изобретения

А. В. Соколов и А. М. Сорокина

Заявитель!

НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ л

4 чука. Бензантрон растворяют при перемешпвапии в течение 10 — 15 мин. ГIолученный раствор фильтруют через бум ажный фильтр.

Приготовленный фоторезнст хранят в затем5 ненном месте.

П р и м е н е н и е ф о т о р е з и с т а. На обезжиренные образцы хрома, напыленного на стекло, наносят на центрифуге при 800 об/мин слой фоторезпста толщиной 0,3 — 0,4 лтк. По1о крытие высушивают в термостате Ilpll температуре 70 С в течение 10 мин. Экспонирование фотослоя производят через фотошаблон под ультрафиолетовой лампой ПРК-2 при освещении 25000 люкс по люксометру 10=16 в течение 10=15 лтин.

Изображение проявляют погружением в айт-спирит на 2 мин и промывают струей водопроводной воды. После сушки струей горячего воздуха, качество изображения контро2д лируют с помощью микроскопа МИИ-4. Г1олучены изображения фотошаблона, имеющего элементы размером 5,0; 3,0 и 1,5 лтк, а также копия штриховой миры № 1 с минимальной шириной линий 2,5 мк. Изображения на слое

25 фоторезиста полностью соответствуют рисунку фотошаблона и имеют четкий и ровный край линий.

Образцы хрома протравливают в 16%-ной соляной кислоте с использованием в качестве

30 затравки алюминиевой проволоки. Протрав1

Изобретение относится к светочувствительным материалам, используемым в фотолитографских процессах для создания защитного рисунка на поверхности металлических, полупроводниковых и изоляционных материалов.

Фотолитографические процессы широко используются в электронной промышленностп для создания полупроводниковых приборов. тонкопленочных и твердых схем, изготовления фотошаблонов, сеток и других изделий.

Известен фоторезист на основе ненасыщенных полимеров, например циклокаучука, светочувствительной добавки — бисазида и растворителя.

Однако такой фоторезист имеет относительно невысокую разрешающую способность.

Цель изобретения — получение негативного фоторезиста высокой разрешающей способности.

Для этого вводят чувствительную добавку— бензантрон или его производные и растворитель. Добавка введена в количестве 5 — 10% от веса полимера.

Пример. Приготовление фоторезиста. На технических весах взвешивают 10 г циклокаучука и помещают в склянку из оранжевого стекла. Каучук заливают 100 мл толуола. В ечение суток происходит растворение каучука. На аналитических весах взвешивают 0,7 г

1,9-бензантрона и добавляют в раствор кауУДК ? 71.531:773.92 (088.8) 327433

Составитель О. Зеленова

Техред E. Борисова

Корректор E. Зимина

Редактор Л. Герасимова

Заказ 640/16 Изд. № 162 Тираж 44 8 Подписное

Ц11ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ленный рельеф на хроме полностью соответствует характеру рисунка на слое фоторезиста.

Предмет изобретения

1. Негативный фоторезист на основе ненасыщенного полимера, например циклокаучука, светочувствительной добавки и растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности фоторезиста, в качестве светочувствительной добавки применено соединение типа бензантрона.

5 2. Фоторезист по п. 1, отличающийся тем, что светочувствительная добавка введена в количестве 5 — 10% от веса полимера.