Устройство задержки
345600
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сова Советских
Социалистических
Ресоублик
Зависимое от авт. свидетельства №
М, Кл. Н 03k 3 33
Заявлено 19.VI I I.1970 (№ 1470772/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Комитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
Опубликовано 14.Vll.1972. Бюллетень ¹ 22
Дата опубликования описания 2ЗХ111.1972
УДК 621.374.52(088.8) Авторы изобретения
М. А. Ананян и Е. Б. Алексеев
Московский ордена Ленина энергетический институт
Заявитель
УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ
Предлагаемое устройство задержки относится к полупроводниковой импульсной технике, может найти применение при создании различных устройств наносекундного диапазона в вычислительной и радиоизмерительной технике.
Известны устройства задержки, содержащие первый эмиттерный повторитель, в базовую цепь которого включен туннельный диод, диод с накоплением заряда, анод которого через резистор подключен к источнику питания, последовательно включенные транзисторный ключ и второй эмиттерный повторитель.
Цель изобретения — задержка импульсов на время, превышающее длительность входного сигнала. Достигается она тем, что в предлагаемом устройстве выход первого эмиттерного повторителя подключен через конденсатор к аноду диода с накоплением заряда и через резистор — по входу транзисторного ключа, а выход второго эмиттерного повторителя подключен ко входу первого эмиттсрного повторителя.
На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства.
Анод диода 1 с накоплением заряда (катод которого заземлен) через разделительный конденсатор 2 и резисторы 8 и 4 присоединен к эмиттеру транзистора 5 (типа р-n-p), заземленному через резистор б, и базе транзистора
7 (типа р-п-р), а также через резистор 8 подключен к источнику положительного напряжения.
Коллектор транзистора 7, эмиттер которого
5 заземлен, через резистор 9 подключен к источнику отрицательного напряжения, а через разделительный конденсатор 10 — к базе транзистора 11 (типа п-р-n), заземленный через резистор 12. Коллектор транзистора 11
10 подключен к источнику положительного напряжения, эмиттер через резистор 18 заземлсн, а через резистор 14 связан с источником входных сигналов и разделительным конденсатором 15, второй конец которого подсоеди15 нен к катоду туннельного диода 16, подключенного через резистор 17 к источнику отрицательного напряжения и нспосредственно— к базе транзистора 5.
Выходной сигнал снимается с резистора 18.
20 В исходном состоянии все транзисторы закрыты. Через диод 1 с накоплением заряда протекает прямой ток, обусловленный источником положительного напряжения, накапливающий заряд в его базе. Туннельный диод
25 16 находится в устойчивом состоянии на туннельной ветви его вольтамперной характеристики.
Принцип работы i стройства следующий.
С приходом отрицательного сигнала тун30 нельный диод 16 переключается в другое
845600
Предмет изобретения
Составитель Ю. Еркин
Техред 3, Тараненко
Корректор С. Сатагулова
Редактор Б. Федотов
Заказ 2587/!3 Изд. ¹ 1146 Тираж 406 Подписнос
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4;5
Типография, пр. Сапунова, 2 устойчивое состояние на диффузионной ветви его вольтамперной характеристики. Возникающий на его катоде отрицательный перепад напряжения поступает через эмиттерный повторитель на транзисторе 5, резистор 8 и разделительный конденсатор 2 на анод диода 1 с накоплением заряда. С эгого момента начинается рассасывание накопленного в базе диода 1 заряда. Этот процесс назовем фазой высокой обратной проводимости.
Если в исходном состоянии на диоде 1 с накоплением заряда происходило небольсин;е положительное падение напряжения, то в течение фазы высокой обратной нроводимос-и на диоде 1 падает также небольшое, но отрицательное напряжение, которое благодаря наличию резистора 4 не в состоянии открыть транзистор 7.. По окончании фазы высокой обратной проводимости, длительность которой можно регулировать изменением величины прямого тока, протекающего через диод 1, последний резко запирается, отрицательное напряжение на его аноде возрастает почти до величины перепада на катоде туннельного диода 15, транзистор 7 открывается, формируя на коллекторе передний фронт выходного сигнала, задержанный относительно входного на время протекания фазы высокой обратной проводимости. Положительный перепад с коллектора транзистора 7 через разделительный конденсатор 10, эмиттерный повторитель на транзисторе 11, резистор 14 и разделительный конденсатор 15 поступает на катод туннельного диода 1б, сбрасывая его в первоначальное устойчивое состояние, транзистор 5 закрывается, напряжение на диоде 1
5 с накоплением заряда уменьшается и становится положительным, транзистор 7 закрывается, на его коллекторе формируется задний фронт выходного сигнала. Таким образом, на выходе схемы формируется сигнал стандарт10 ной амплитуды и длительности, задержанный относительно входного сигнала на время, определенное длительностью фазы высокой обратной проводимости диода 1.
Устройство задержки, содержащее первый эмиттерный повторитель, в базовую цепь которого включен туннельный диод, диод с на20 коплением заряда, анод которого через резистор подключен к источнику питания, включенные последовательно транзисторный ключ и второй эмиттерный повторитель, отличающееся тем, что, с целью задержки импульсов на
25 время, превышающее длительность входного сигнала, выход первого эмиттерного повторителя подключен через конденсатор к аноду диода с накоплением заряда и через резистор — ко входу транзисторного ключа, а вы30 ход второго эмиттерного повторителя подключен ко входу первого эмиттерного повторителя.
