Формирователь импульсов с регулируемой длительностью заднего фронта
О П И С А Н И Е 344576
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 29Л11.1969 (№ 1315293/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано 07.VII.1972. Бюллетень № 21
Дата опубликования описания 24ХП.1972
М. Кл. Н 031с 5/12
Коыитет по делаМ изобретений и открытий при Совете ййинистров
СССР
УДК 621 373 51(088 8) 1 с
М. А, Бедрековский, Ю. Е. Наумов и И. Ф. Пучков!:;.
Авторы изобретения
Заявитель
ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ
С РЕГУЛИРУЕМОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ ЗАДНЕГО ФРОНТА
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в различных схемах преобразования импульсов.
Известные устройства с регулируемой длительностью заднего фронта, содержащие в цепи базы транзистора цепочку из резистора, конденсатора и полупроводникового диода, имеют малую величину диапазона регулирования длительности заднего фронта.
Цель изобретения — р асширение пределов регулирования длительности заднего фронта.
Для этого в предлагаемом формирователе иипульсов база дополнительного транзистора подключена к коллекторам ключа, эмиттер донтол нительного транзистора — к,первому входу ключа, коллектор — ко второму входу ключа, а между вторым входом и общей шиной включен переменный, резистор, На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого формирователя.
Устройство содержит ключ на двух транзисторах 1 и 2 одного типа проводимости (например, и-р-и типа), включенных по схеме с о бщим эмиттером, и одного транзистора 8 npoTHB0II0JI0?Kí0ãо типа проводимости (р-и-р типа). Транзистор 8 подключен своим эмиттером к базе транзистора 1, коллектором — к базе транзистора 2, база его подключена к коллекторам ключа. Между базой транзистора 2 и общей, шиной включен переменный резистор 4.
Устройство р аботает следующим образом.
5 При подаче отпирающего потенциала транзистор 1 входит в насыщение. При этом потенциал на базе транзистора 1 и эмиттере транзистора 8 повышается, а на коллекторе транзистора 1 и базе транзистора 8 понижа10 ется, что приводит к отпиранию транзисторов
1 и 8. Транзистор 1 входит в насыщение. За счет открывания транзистора 8 подается положительное (отпирающее) смещение на базу транзистора 2, что приводит к его отпира15 нию и насыщению, т, е. к накоплению значительного количества носителей в коллекторе тр анзистор а.
iB момент окончания действия отпирающего
20 импульса избыточные носители заряда рассасываются из коллектора транзистора 2. Формирование заднего фронта при этом определяется величиной сопротивления резистора 4 в базе транзистора 2, дифференциальным со25 противлением участка коллектор — эмиттер транзистора 8 и степенью влияния тока, протекающего через транзистор 8, на базу транзистора 1. Изменения значений этих величин позволяют регулировать в широких пределах
30 длительность заднего фронта.
344576
Предмет изобретения
Составитель В. Ефремов
Техред T. Курилко
Корректоры; Г, Запорожец и Т. Бабакина
Редактор Т. Иванова
Заказ.2264/12 Изд. № 955 Тираж 406 Подписйое
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и откгытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Формирователь импульсов с регулируемой длительностью заднего фронта, содержащий ключ с двумя входами на параллельно соединенных транзисторах одного типа проводимости и дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, отличаюи ийся тем, что, с,целью расширения пределов регулирования длительности заднего фронта, база дополнительного транзистора подключена к коллекторам ключа, эмиттер дополни5 тельного транзистора — к первому входу ключа, коллектор — ко второму входу клЫча, а между вторым ходом и общей шиной включен переменный резистор.
