Всесоюзная i ^"лти[?[ш-1г};ш^1с«!д| ___бнблиотена j

 

341185

Предмет изобретения

1Рцг !

@иг.2

Составитель А. Мерман

Техред 3. Тараненко

Корректор С. Сатагулова

Редактор И, Грузова

Заказ 1933/10 Изд. № 814 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 сквозь герметизирующий слой нару жу и улетучи ваюгся. Герметична я полость 4 (фиг. 1;б) постепе1нно освобождается от буферного матер и ал а.

Меха н изм прониино вения молекул скв о зь ге рметизнрующий слой может быть различ ным. При малой тодщяне герметизирующий слой обычно содержит сивозные поры размером не б олее ед и ниц и десяпко в BirrrlcripeIXr u про ни кнове ние сквозь эги поры — на и1более вероятный механизм.

Г .олучено экспериментальное подтверждение такого проникновения, На сапф ировой подложечке размещают слой молибдена, поверх него — слой рения толщиной поряд|ка 0,1 мкм. Проводят травление системы при тем пера,т уре 400 — 500 С в агмосфере хлора при давлении|и 10 — — 10 — мм рт. ст. Толщи|на моли бденового,подслоя заметно уменышается. По око нчан и1и вытравливания бу фер ного матери|ала из полости внутри нее содержится газ-гр а воитель под да вле н,ием, равным давлению снаружи,полости. Еслй наруж ное давление постепенно уменьшать, например, oгкач1и вая газ-Ttp BIBHте.чь, да влени е внутри полости та кже сн ижаегся. Продолжая процесс, можно ypazmrrb весь газ-трав1и1тель из полоспи. Для того, чтобы обезопасить м1икрополость от поврежден ия и на;тека ния в оз духа пере|д выно сом на во@ду х, герметизи рующий слой 3 целесообраз но у прогнить, 1на пример, напыле|ние м в

5 вакууме добавочного,сломя 5 необходимой толщины (фланг. 2).

10 1. Спосо б изготовле1ния ге1рмети з и1ро ва н ной м и кро1полости на подложечке, осноьанный на последо вателыном на несе нщи на подложку слое1в материало в, отличающийся тем, что, с целью повын1е ния на деж1но сти герметизации

15 и,упроще ния технолопии, на обла1сть фор м иpoIBBIHIHIH ми крополости на|носят буферный материал в количесгве,и по кон фивурая и и, соответствующих о бъе му и конфипура ции будущей микрополости, и слой гермегиз ирующего

20 материала на всю поверхность, подложки с последующи м травлением буфер ного слоя.

2. Cirroсоб по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получен и я вакуумной м и ирополост и, тра вле ние буфер ного слоя производят дри

25 по ниженном давлении газового тра вителя, после чего подлоокк1у огж игают в высоком

BBKyyIiMe и напыляют упрочняющий слой г@рмегизирудщего ма1териала.

Всесоюзная i ^лти[?[ш-1г};ш^1с«!д| ___бнблиотена j Всесоюзная i ^лти[?[ш-1г};ш^1с«!д| ___бнблиотена j 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию

Изобретение относится к электролитическим способам изготовления печатных схем и заключается в избирательном электрохимическом травлении фольгированного диэлектрика при его движении относительно линейного секционного электрод-инструмента
Изобретение относится к радиоприборостроению и может найти применение при изготовлении печатных плат с элементами проводящего рисунка схемы, работающими на размыкание - замыкание и располагаемыми в любом месте поля платы (тастатура номеронабирателя, контакты плоские, разъемы)
Изобретение относится к способу изготовления многослойной платы с печатным монтажом

Изобретение относится к способу изготовления композиционного многослойного материала, предпочтительно материала с перекрестной ориентацией армирующих волокон, в соответствии с которым параллельно расположенные волокна покрываются матричным веществом и вместе с предварительно сформированными нетекучими композициями параллельно расположенных волокон или перекрещивающимися системами параллельно расположенных волокон пропускаются через зону дублирования, причем ориентация волокон в соединяемых слоях имеет по крайней мере два направления

Изобретение относится к созданию трехмерной электронной аппаратуры
Наверх