Ю - техническая
О П И СА Н И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Саветскив
Социалистическил
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. G Olb 7j06
Заявлено 07.1Ч.1970 (№ 1427039/25-28) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 09.11.1972. Бюллетень № 7
Дата опубликования описания 28.111.1972
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УД1 531.715.2(088.8)
581. 717.53 (088.8) Авторы изобретения В. Ф. Шаталов, А. М. Копытин, Н. С. Понарии и В. Т. Комиссаров
Заявитель
B ".ÑÎËË! I ;1
-„т, 11А-,-,;:т.;гтГ.,; ; а
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ НАРУШЕН НОГ9 САОФ ." 1с"А
В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИНАХ
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике.
Известен способ определения величины нарушенного слоя в полупроводниковых пластинах, закл1очающийся в том, что поверхность пластины стравливают в электролите и измеряют параметры пластины — электросопротчвление. Однако этот способ очень трудоемкий, так как необходимо многократное стравливание поверхности пластины и снятие вольтамперных характеристик перехода пластинаэлектролит.
Целью данного изобретения является повышение прон I»oiII Icльности контроля, Для этого фиксируют наибольшую деформацгио нласгины в процессе травления посредством
1ензодатчика.
Сцосоо поясняется чертежом.
Устройство содержит стойку 1, регулируемую |о высоте посредством пары винт — гайка
2, столик 8, на котором установлен фторопластовый стакан 4 с травителем, штангу 5, закрепленную на кронштейне б и расположенную над фторопластовым стаканом. На штанге 5 закреплена пластина 7 с тснзодатчиком 8, включенным в электронный ш|дикатор 9 сигнала датчика.
Определение величины нарушенного слоя осуществляется следу1ощнм образом.
Нижшою поверхность пластины 7 вводят в соприкосновение с травителем. По мере травления пластина деформируется под воздействием нарушенного слоя ее верхней поверхности, При полном стравливании нарушенного слоя на нижней поверхности деформация будет максимальчой, ее величина фиксируется тензодатчнком 8, приклеенным к пластине 7, I1 величина нарушенного слоя определяется IIo измененшо толщины пластины.
Предмет изобретения (нособ определения всли IIIIILI нарушенногоо слоя в полупроводниковых пластинах, заключающийся в том, что поверхность пластины стравливают в электролите и измеряют параметры пластин, отличаюттткйся тем, что, с целью повышения производительности контроля, фиксируют наибольшую деформацию пластины в процессе травления посредством
25 тензодатчика.
Редактор Г. Гончарова
Составите.п, А. Д,ханин
Тсхрсд Jl. Богданова
Корректор А. Царькова
Зг каз 72l 9 Изд. М 228 Тира;к I I3 По,пгиспос
IaIiIIIIIII Копите!» по дс.п.:и инобис;-опий ; 01крлг iii при Совете Мипис|рои CCCI
Моcêï I, )К-:35, рiii llict ;I51 паб д
Тпп 1гра<) ия, г:р. Сапу:пп:и, 2

