Диодно-транзисторная схема
3I9156
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН Ия
К ПАТЕНТУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
МПК Н 03k 17/60
Заявлено ЗО.Ч11,1968 (№ 1262991/26-9) Приоритет 08.IХ.1967, № ВП 21а /127088, ГДР
Комитет по аспа, з изабретеиий и аткрытп;"; при Совета Мииистроа
CCCP
УДК 681.325.65(088.8) Опубликовано 28.Х.1971. Бюллетень № 32
Дата опубликования описания 20.1.1972
Автор изобретения и заявитель
Иностранец,Юрген Тайхманн (Германская Демократическая Республика)-l
ДИОДНО-ТРАНЗИСТОРНАЯ СХЕМА
Зависимый от патента №
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве логического элемента в устройствах, предназначенных для обработки импульсных сигналов.
Известны диодно-транзисторные схемы включения, которые допускают с диодом Зенера высокие значения напря>кений помех.
Однако максимальная величина последнихдостигает только половины рабочего напряжения. 10
Кроме того, известны схемы включения с зависимыми от направления характеристиками передачи, которые имеют очень высокую чувствительность к помехам, но они предназ- 15 начены для иных целей. Таким схемы имеют либо низкое значение напряжения помех по сравнению с напряжением питания, либо ограниченные допустимые отклонения параметров применяемых элементов. 20
Цель изобретения — повысить помехоустойчивость схемы и снизить требования к допускам используемых элементов. Это достигается тем, что к выходу схемы подключена база транзистора инвертора, коллектор которого 25 соединен с базой дополнительного транзистора, коллектор дополнительного транзистора подключен к точке соединения диодной схемы «И» и стабилитрона, а эмиттер — к эмиттеру эмиттерного повторителя. 30
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.
Входы 1, 2 и т через схему «И» на диодах
4, 5 и б связаны с узловой точкой 7, которая через резистор 8 соединена с зажимом 9 питания и через стабилитрон 10 — с базой транзистора 11 эмиттерного повторителя. Коллектор транзистора 11 подключен к зажиму 9, а эмиттер включен на диод 12, смещенный в прямом направлении, катод которого соединен с базой транзистора 13 усилителя. Участок база — эмиттер транзистора 1, > шунтирован резистором 14, а коллектор подключен к зажиму 9 через резистор 15 нагрузки.
Выходное напряжение снимается с зажимов Iб и 17, ав,ходное подается на вход > и зажим 18. Выходной зажим Iб связан через резистор 19 с базой транзистора 20, участок база — эмиттер которого шунтирован резистором 21, а коллектор соединен с зажимом 9 через резистор 22 нагрузки и с базой дополнительного транзистора 2>. Коллектор последнего подключен к точке соединения диодной схемы «И» и стабилитрона 10, а его эмиттер — к аноду диода 12 и к эмиттеру транзистора 11.
Схема работает следующим образом.
Если напряжение, поступающее на входы
1, 2 и 8, больше падения напряжения на ста319156
Предмет изобретения
Составитель Н. Степанов
Текред Л. Куклина
Редактор Т. Юрчикова
Корректоры: Е. Усова и О. Волкова
Заказ 3845714 Изд. Ко 1510 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4j5
Типография, пр. Сапунова, 2 билитроне 10 и эмиттерном переходе транзистора 11, то ток, усиленный последним, подводится к базе транзистора 18 и приводит его к насыщению. Вследствие этого запирается транзистор 20 и насыщается дополнительный транзистор 28. Ток протекает через резистор
8 без усиления непосредственно к базе транзистора 18, Теперь напряжением смещения служит не падение напряжения на стабилитроне 10, а остаточное напряжение транзистора 28. Чтобы изменить состояние на выходе— зажимах 1б и 17, входное напряжение, например, на входе 8 и зажиме 18 должно быть приблизительно меньше, чем пропускаемое напряжение диода. Тогда ток протекает от резистора 8 через входной диод 6. Транзистор
18 запирается, а транзистор 20 отпирается через резистор 19 и тем самым запирается дополнительный транзистор 28, Диодно-транзисторная схема, содержащая диодную схему «И», подключенную через стабилитрон к базе эмиттерного повторителя, в эмиттерной цепи которого включен диод в прямом направлении и сопротивление, к точке соединения диода и сопротивления подключена база выходного усилителя, отличаюи аяся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости схемы и снижения требований к допускам используемых элементов, к выходу схемы подключена база транзистора инвертора, коллектор которого соединен с базой дополнительного транзистора, коллектор дополнительного транзистора подключен к точке соединения диодной схемы «И» и стабилитрона, а эмиттер — к эмиттеру эмиттерного повторителя.
