Патент ссср 314306
3I4306
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 15Л7.1968 (№ 1232237/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 07ЛХ.1971. Бюллетень № 27
Дата опубликования описания 26.Х.1971
МПК Н 03k 17160
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.374.33(088.8) Автор изобретения
Э. Г. Маркосян
Заявитель
ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ С УСКОРЯЮЩИМ ЭЛЕМЕНТОМ
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в тонкопленочной микроэлектронике.
Известен транзисторный ключ с ускоряющим элементом, выполненным на RC-структуре с монотонно изменяющимися погонной емкостью и погонным сопротивлением.
Однако известный ключ характеризуется невысоким быстродействием и ограниченной возможностью включения RC-структуры в микросхему.
Целью изобретения является увеличение быстродействия ключа и расширение топологичесиих возможностей микросхемы.
Это достигается тем, что резистивный слой
КС структуры включен в цепь смещения базы транзистора или в цепь коллекторной нагрузки, а проводящий слой соединен соответственно со входом базового токоограничивающего резистора или с базой последующего каскада.
Принципиальные схемы транзисторного ключа с ускоряющим элементом приведены на фиг. 1 и 2.
Ключ содержит транзистор 1, резисторы 2, 3 и ускоряющий элемент 4 (см. фиг. 1) или ускоряющий элемент 4, транзистор б и резистор б (см. фиг. 2) .
Ускоряющий элемент 4 выполнен на
RC-структуре с монотонно изменяющимися погонной емкостью и погонным сопротивлением, причем если RC-структура выполнена в виде тонкой пленки, то необходимая монотонность изменения ее параметров может быть реализована изменением ширины структуры (рас5 ширяющейся структуре соответствует уменьшение погонного сопротивления и увеличение погонной емкости).
Резистивный слой RC-структуры включен в цепь смещения базы транзистора 1 (см.
10 фиг. 1) или в цепь коллекторной нагрузки (см. фиг. 2), а проводящий слой соединен со входом базового токоограничивающего резистора 2 (см. фиг. 1) или с базой последующего каскада (см. фиг. 2).
15 Выбор схемы транзисторного ключа определяется требованиями к топологии микросхемы.
Предмет изобретения
1. Транзисторный ключ с ускоряющим элементом, выполненным на RC-структуре с монотонно изменяющимися погонной емкостью и погонным сопротивлением, отличающийся
25 тем, что, с целью увеличения быстродействия и расширения топологических возможностей микросхемы, резистивный слой RC-структуры включен в цепь смещения базы транзистора, а проводящий слой соединен со входом базо30 вого токоограничивающего резистора.
314306
Фиь.1
Фиа. 2
Редактор Г. А. Яковлева Техред Е. Борисова Корректор О. И. Волкова
Заказ 3038/12 Изд. Ко 1296 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр, Сапунова. 2
2, Транзисторный ключ по п. 1, отличающийся тем, что резистивный слой RC-структуры включен в цепь коллекторной нагрузки, а
4 проводящий слой соединен с базой последующего каскада.

