Патент ссср 312385

3!2385

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ бова Советокик

Социалистические

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12Л.1970 (№ 1398140/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 19.VIII.1971. Бюллетень ¹ 25

Дата опубликования описания 22.XI.1971

МПК Н 03k 17/60

Комитет но делам иао0ретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.374.33(088.8) Автор изобретения

В. Л. Гулевич

Таганрогский радиотехнический институт

Заявитель

ДИОДНО-ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ

Изобретение может быть использовано в радиотехнических установках, в частности в радиоизмерительных и модуляторных импульсных устройствах радиоаппаратуры различного назначения.

Предлагаемый ключ предназначен для переключения сигналов высокой частоты с высокой степенью ослабления сигнала при запертом ключе.

В известных ключевых схемах как импульсных, так и потенциометрических для увеличения динамического сопротивления в закрытом состоянии применяется последовательновстречное включение двух полупроводниковых диодов.

Цель изобретения — упростить ключевую схему, обладающую высоким динамическим сопротивлением в закрытом состоянии и малым — в открытом. Это достигается путем последовательного включения двухдиодных ключевых ячеек, согласующихся между собой посредством транзисторного каскада, выполненного по схеме эмиттерного повторителя, и управляемых от одного источника управляющего напряжения.

Первая двухдиодная ключевая ячейка охвачена цепью нейтрализации путем включения нейтрализующего конденсатора между коллекторной нагрузкой входного согласующего каскада и выходом двухдиодного ключа. Наличие цепи нейтрализации позволяет увеличить динамическое сопротивление ключа в закрытом состоянии.

Вторая ключевая ячейка содержит транзи5 стор, включенный по схеме эмиттерного повторения с диодпым ключом в цепи нагрузки, и позволяет получить дополнительное увеличение динамического сопротивления ключа в закрытом состоянии.

На чертеже изображена схема описываемого ключа.

Входной согласующий каскад, выполненный по схеме с разделенной нагрузкой, содержит

15 транзистор типа р — и — р 1 с коллекторной нагрузкой резистором 2 и с эмиттерной нагрузкой резистором 8. Первая диодная ячейка подключена к эмиттерной нагрузке транзистора 1 и содержит два встречно включенных

20 полупроводниковых диода 4 и 5 и два резистора б и 7. Полупроводниковый диод 8, подключенный и точке соединения диодов 4 и 5, предназначен для фиксации уровня управляющего сигнала. Выход ключевой ячейки сое25 динен через нейтрализующий конденсатор 9 с коллекторной нагрузкой транзистора 1 и непосредственно подключен ко входу выходного каскада, выполненного на транзисторе

10 типа р — и — р по схеме эмиттерного повтоЗО рителя.

312385

Составитель H. Герасимова

Техред Л. В. Куклина Корректор О. И. Волкова

Редактор Г. Кузьмина

Заказ 3093/17 Изд. № 1150 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

В качестве эмиттерной нагрузки транзистора 10 используется резистор 11 с подключенной параллельно ему цепочкой из последовательно соединенных полупроводникового диода 12, включенного в прямом направлении, и резистора 13.

Источник 14 входного высокочастотного сигнала подключен к базе транзистора 1.

Источник 15 отпирающего отрицательного напряжения подключен через развязывающее сопротивление 1б к общей точке соединения диодов 4, 5 и 8.

При отсутствии управляющего напряжения от источника 15 диоды 4 и 5 имеют большое прямое сопротивление, а транзистор 10 заперт, вследствие чего диод 12 также имеет большое прямое сопротивление. Высокочастотный сигнал от источника 14 проходит через входной каскад и с нагрузки его резистора 3 поступает на диод 4. С резистора 2 высокочастотный сигнал в противофазе через конденсатор 9 подается на базу транзистора

10. Величина противофазного напряжения на базе транзистора 10 при помощи конденсатора 9 устанавливается равной величине напряжения сигнала, прошедшего через последовательно включенные проходные емкости диодов 4 и 5. Этим достигается компенсация влияния проходных емкостей диодов.

При подаче отпирающего напряжения отрицательной полярности диода 4 и 5 транзистор 10 с диодом 12 в цепи эмиттера отпи. раются и высокочастотный сигнал проходит на выход схемы. При подаче от источника 15 импульсного управляющего сигнала диод 8 способствует уменьшению искажения формы пакета высокочастотных колебаний на выходе схемы.

10 Предмет изобретения

Диодно-транзисторный ключ, содержащий входной согласующий эмиттерный повторитель, диодный ключ, состоящий из двух

15 встречно включенных полупроводниковых диодов, в общую точку соединения которых подается отпирающий сигнал, и выходной эмиттерный повторитель, включенный по схеме с непосредственной связью, отличаюи1ийся тем, что, с целью получения большого динамического сопротивления в закрытом состоянии и малого — в открытом, двухдиодный ключ охвачен цепью нейтрализации, состоящей из конденсатора, подключенного к выходу ключа, и резистора, включенного в цепь коллектора входного каскада, а параллельно нагрузочному сопротивлению выходного эмиттер ного повторителя подключена цепь из последовательно соединенных полу30 проводникового диода, включенного в прямом направлении, и резистора,