Потека 1
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
299937
Сома Советских
Сокиалиотичеоких
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
МПК Н 03f 1/02
Заявлено 25.XII.1969 (№ 1389059/26-9) с присоединением заявки №
Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров
СССР
Приоритет
Опубликовано 26.111.1971. Бюллетень № 12
Дата опубликования описа IHH 4Л .1971
УДК 621.375.4 (088.8) Авторы изобретения
Г. П. Балан, В. Я. Баржин, Г. В. Кошарновский, A. Ф. Петров и 1О. П. Рондии н
I ;, .:.! I ".1
Заявитель
ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Известны транзисторные усилители, Цель изобретения — повышение к.п.д., увеличение выходной мощности и улучшение температурной стабильности.
Для этого между полупроводниковым телом транзистора и его корпусом встроена полупроводниковая термобатарея, электрически включенная последовательно в цепь эмиттера в таком направлении, что проходящий по ней ток вызывает охлаждение полупроводникового тела транзистора.
На чертеже изображен предлагаемый усилитель.
Корпус транзистора I крепится к холодному спаю термобатареи 2, которая горячим спаем прикреплена к радиатору 8. Термобатарея чключена последовательно в цепь эмиттеоа транзистора и ее без значительного изменения габаритов транзистора можно разместить в корпусе транзистора — холодным спаем к телу коллектора, горячим — к корпусу транзистора. В этом случае корпус транзистора крепится к радиатору.
Усилитель работает следующим образом.
Постоянная составляющая тока эмиттера, проходя через термобатарею, создает перепад температуры до 30 С между спаями термобатареи, благодаря чему полупроводник транзистора охлаждается и его температура может быть ниже температуры окружающей среды.
Хорошее отведение тепла от полупроводника транзистора позволяет повысить мощность, рассеиваемую на транзисторе, и, следовательно, повысить отдаваемую мощность. С увеличением температуры среды активное сопротивление термобатареи возрастает, и падение напряжения на ней увеличивается не только изза роста с температурой тока эмиттера, но и из-за увеличения сопротивление термобатареи.
1О Таким образом термобатарея не только охлаждает транзистор, но и стабилизирует его режим работы как нелинейный элемент. Кроме того, на спаях термобатареи появляется термо-э. д. с, которая зависит от перепада
15 температуры между спаями термобатареи и, следовательно, от тока эмиттера.
Эта термо-э. д. с. приложена между эмиттером и базой так, что дополнительно стабилизирует режим работы транзистора. Суммар20 ное стабилизирующее воздействие термобатареи оказывается более качественным, чем термостабилизация тремя резисторами и по качеству приближается термостабилизации четырьмя резисторами.
Таким образом, охлаждая транзистор и стабилизируя режим его работы за счет нелинейности сопротивления и термо-.э. д. с. термобатарея обеспечивает увеличение отдаваемой
30 мощности и стабильный коэффициент переда299937
Составитель Н. Герасимова
Редактор Т. Иванова Техред А. А. Камышникова Корректор О. М. Ковалева
Заказ 1173/12 Изд, № 524 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 чи по мощности .в широком диапазоне температуры среды.
Предмет изобретения
Транзисторный усилитель, отличающийся тем, что, с целью повышения к. п. д., увеличения выходной мощности и улучшения температурной стабильности, между полупроводниковым телом транзистора и его корпусом встроена полупроводниковая термобатарея, электрически включенная последовательно в цепь эмиттера в таком направлении, чтобы проходящий по ней ток вызывал охлаждение полупроводникового тела транзистора.
