Полупроводниковый усилитель
2cI 22II
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
МПК Н 03f 1/24
Заявлено 09.VI.1969 (№ 1337081/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 06.|,1971. Бюллетень ¹ 4
Дата опубликования описания 2.III.1971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров
СССР
УДК 621.375.4(088.8) ВПТБ
Автор изобретения
В. Д. Козлов
Заявитель
ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Й УСИЛИТЕЛЬ
Известны усилители, содержащие униполярный и биполярный транзисторы. Эти усилители не позволяют получать выходное напряжение большой амплитуды, поскольку нагрузка включается между коллектором бипо- 5 лярного транзистора и землей и максимальная амплитуда выходного напряжения определяется напряжением источника питания униполярного транзистора.
Предложенный полупроводниковый усили- 10 тель расширяет динамический диапазон выходного напряжения и имеет высокое входное сопротивление и высокую крутизну.
Предложенный усилитель, содержащий униполярный и биполярный транзисторы, отли- 15 чается от известных тем, что база биполярного транзистора соединена со стоком униполярного транзистора, между истоком которого и эмиттером биполярного транзистора включен отдельный источник постоянного на- 20 пряжения, а нагрузка включена между коллектором биполярного транзистора и источником питания его коллекторной цепи.
На чертеже дана принципиальная схема устройства. 25
Предлагаемый усилитель содержит униполярный 1 и биполярный 2 транзисторы. Исток
8 униполярного транзистора 1 является общим, а сток 4 соединен с базой 5 биполярного транзистора 2.
Через эмиттерно-базовый переход транзистора 2 от источника напряжения 6, подключенного к электроду 7, осуществляется питание стоковой цепи униполярного транзистора 1.
Питание коллектора 8 биполярного транзистора 2 осуществляется через нагрузку 9 от источника напряжения 10. Управляющее напряжение с входных клемм П поступает на затвор 12 униполярного транзистора. При использовании транзистора 2 с высоким пробивным напряжением с нагрузки снимают выходной сигнал большой амплитуды.
Предмет изобретения
Полупроводниковый усилитель, содержащий униполярный и биполярный транзисторы, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона выходного напряжения, база биполярного транзистора соединена со стоком ynn«oлярного транзистора, между истоком которого и эмиттером биполярного транзистора включен отдельный источник постоянного напряжения, а нагрузка включена между коллектором биполярного транзистора и источником питания его коллекторпой цепи.
Составитель В. Нагорнов
Редактор Т. 3. Орловская Техред А. А. Камышникова Корректоры: В. И. )Колудева, А. Николаева и Л. Корогод
Заказ 356/4 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2

