Способ удаления воска с поверхности керамических
О П И С А Н И Е 290333
ИЗОЫ ЕтЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советскиз
Социзлистическиз
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”
Заявлено 04.XI I.1968 (№ 1288724/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
МПК H Olg 13!00
Комитет по делам изсбретеиий и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.319.4(088.8) Опубликовано 22.XI I.1970. Бюллетень № 2 за 1971
Дата опубликования описания 15.II.1971
Авторы изобретения
К. В. Вильшау и Л. С. Рыбкина
Заявитель
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ВОСКА С ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИЧЕСКИХ
КОНДЕНСАТОРОВ
Предмет изобретения
Изобретение относится к технике производства керамических конденсаторов и может быть использовано для удаления с поверхности керамических пластинок воска, употребляемого в технологии резания этих пластинок.
Известны способы удаления воска с поверхности керамических конденсаторов с использованием химических реагентов.
Однако известные способы требуют применения растворителей, обладающих высокой точностью.
С целью экономии материала и существенного уменьшения токсичности указанного технологического процесса по предлагаемому способу в качестве химического реагента используют водный раствор углекислого калия с концентрацией 4 — 10%, а процесс удаления воска ведут при температуре 0 — 80 С.
Пример. Воскованные керамические пластинки погружают в водный 5%-ный раствор углекислого калия, нагретый до температуры
80 С. По истечении 5 минут керамические пластинки вынимаются и погружаются в проточную теплую воду. Отмытые от воска и растворителя пластинки сушатся и направляются на дальнейшие технологические операцшь
В процессе указанной обработки пластинок воск переходит в раствор, образуя тонкую эмульсшо, которая после охлаждения расслаивается с образованием плотного воскового
10 слоя.
15 Способ удаления воска с поверхности керамических конденсаторов с использованием химических реагентов, от,гичтощийся тем, что, с целью экономии материала, в качестве кимического реатента используют водный раствор
20 углекислого калия с концентрацией 4 — 10%, а процесс ведут при температуре 70 — 80 С.
