Сегнетоэлектрик
28l648
ОПИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 21g, 10/02
Заявлено 06.Ч1.1969 (№ 1336982/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 141Х.1970. Бюллетень № 29
Дата опубликования описания 23.ХИ.1970
МПК Н Olg 3/09
УДК 621,319.4(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Ав из
За
СЕ ГН ЕТОЭЛ ЕКТР И К честве от 1,5 до 3% по весу. Ион церия может замещать не только ионы Т14+, как пятиокись ниобия, но и ионы Ва- +.
Предлагаемый материал представляет собой твердый раствор следующего вещества:
BaTiO3, Вг4Т1зОгз, SrTiO с добавками XbO.и СеОз.
В качестве исходных компонентов используют: спек BaTi03, обожженный на 1200+1250 С в количестве 77 — 82вес. ч.; В1зО,> 12+14 вес. ч.;
TiO 3+4 вес. ч.; спек SrTiO;;, обожжечный на 1300 — 1350 С в количестве 3+4 вес. ч.; Nb>O; О+1,5 вес. ч.;
15 СеО, 1,5 — 3 вес. ч. Затем компоненты размалывают и оформляют заготовки нужного вида, которые спекаются при температурах
1120 †11 С.
Сегнетоэлектрик па основе титанатов бария. висмута и стронция с добавкой пятиокиси ниобия, 0T,ги гаюшийгся тем, ITo, с целью обеспечения стабильной емкости порядка
+-15% у монолитных керамических конденсаторов с толщиною диэлектрика 70 гик в интервале температур от — 60 до +125 С, он дополнительно содерзкит окись церия в количе30 стве 1,5 — 3% по весу.
Изобретение относится к радиоэлектронной
1ехнике и может быть использовано при производстве керамических конденсаторов.
Известны сегнетоэлектрики на основе титанатов бария, висмута и стронция с добавкой пятиокиси ниобия, содержащие, вес.
ВаТгОз 80,5
ВгзОз 12
TiO2 3
$гТгОз 3
Nb O; 1,5
В качестве материала для изготовления стаoHJIbHbIx низкочастотных конденсаторов различных типов на рабочую температуру 125 С широко применяется сегнетокерамический материал Т-1000.
Дисковые, пластинчатые и монолитные конденсаторы с толщиной диэлектрика 150 лгк, изготовленные из материала T-1000, изменяют форму емкости в интервале рабочих температур от минус 60 +125 С не более 15%.
Однако при изготовлении монолитных конденсаторов с толщиной диэлектрика 70 лк стабильность емкости резко снижается до
:1:25 — 30 О/о .
С целью улучшения температурной стабильности емкости монолитных конденсаторов по предлагаемому способу в материал дополнительно вводят двуокись церия (СеО ) в колиПредмет изобретения
