Генератор прямоугольных импульсов
Сеюа Ссеетскнт
Ссииалистичеснна
Республик
2824II
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 15.ЧШ.1968 (,% 1262868/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано 28ЛХ.1970. Бюллетень ¹ 30
Дата опубликования описания 7.%.1971
Кл. 21. а, 36/02
Кемитет пе аееата
«аебретеиий и открытий ери Сесете Мииистрее
СССР
МПК, и 03k 3/28
Й 03k 1/16
УД1:, 621.373.52 (088.8)
Автор ттзобретения
В. Е. Макаров
Заявитель
ГЕНЕРАТОР ПРЯМОУГОЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ
Изобретение относится к импульсной технике.
Известные генераторы, вырабатывающие импульсы малой длительности и большой скважности, не позволяют обеспечить получение импульсов со скважностью в несколько тысяч.
Цель изобретения — создание генератора большой скважности, вырабатывающего прямоугольные импульсы с изменяемой в широких пределах длительностью импульса и частотой повторения.
Предлагаемый генератор выполнен на транзисторах разного типа проводимости, при этом коллектор транзистора типа и-р-и соединен с базой транзистора типа р-и-р через параллельно соединенные конденсатор и резистор и с положительным полюсом источника питания через последовательно соединенные резистор и диод.
Предлагаемый генератор позволяет получать короткие импульсы длительностью 0,5—
10 мк/сек..с о акважноотью OT 100 до 100000.
На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.
Схема содержит транзисторы 1 и 2, диод 8„ резистор 4, емкость 5 и резистор б.
Генератор работает следующим образом.
После подачи питающего напряжения за счет малого сопротивления участка коллектор — эмиттер транзистора 1 транзистор 2 резко открывается, и почти все напряжение, приложенное к транзистору 2, выделяется на на-грузке, состоящей из диода 8 и резистора 4.
Фронт напряжения дифференцируется емкостью 5, и на базу транзистора 1 передаетсяотрицательный импульс, резко открывающий транзистор 1. Максимум напряжения на нагрузке (диод 8 и резистор 4) возникает черезинтервал времени, равный времени заряда емко кости 5. Ввиду того, что транзистор 1 открыт,. сопротивление участка эмиттер — коллектор транзистора 1 мало и на коллекторе транзистора 1 формируется пл!оская верш и на импульс».
По окончании заряда емкости дифференци15 рованный импульс на базе транзистора 1 уменьшается, сопротивление участка коллектор — эмиттер транзистора 1 увеличивается, что .приводит .к уменьшению напряжения на .нагрузке (диод 8,и резистор 4).
zo Однако соотношение сопротивлений участков коллектор — эмиттер транзистора 1 и база— эмиттер транзистора 2 остается достаточным для формирования плоской вершины импульса.
Уменьшение напряжения на нагрузке (диод
25 8 и резистор 4) сопровождается разрядом емкости 5 до напряжения, при котором транзистор 1 закрывается. Соотношение сопротивле,ний участков база — эмиттер транзистора 2 и коллектор — эмиттвр транзистора 1 резз0,ко меняется, транзистор 2 закрывается, па282411
Составитель Т. Пигасова
Корректор О. М. Ковалева
Подписное
Гедакто.р T. Иванова
Заказ 7565
Техред Т, П. Курилко
Тираж 480
БНИИПИ Комитета по делам изобретений и открывий при Совете Минжтров СССР
Москва, 5К-35, Раугпокая наб., д, 4/5
Областная типография Костромокого управленя ого печати гпряжение на нагрузке (диод 8 и резистор 4) уменьшается, и положительный продифференцированный импульс повышает напряжение на .базе транзистора 1 до нескольких вольт, надежно закрывая его. В дальнейшем идет мед.ленный разряд емкости 5 через транзисторы
1 и 2 и резистор б.
Ввиду того, что при закрытом транзисторе 2 на диоде 8 и резисторе 4 имеется напряжение порядка долей вольта, то емкость 5 должна перезарядиться до этого напряжения, но транзистор 1 открывается при напряжении, равном нулю, и перезаряд прекращается.
В момент открытия транзистора 1 формируется передний фронт импульса, и процесс
:формирования импульсов повторяется.
Длительность .вырабатываемых импульсов регулируется резистором 4, а период их повторен ия — емкостью 5 (e 6ольших пределах) и рез.исто ро|м б.
5 Предмет изобретения
Генератор прямоугольных импульсов на транзисторах с дапол нительной симметрией, от,гичающийся тем, что, с целью увеличения
1р скважности колебаний, расширения диапазона изменения длительности и частоты следования импульсов, коллектор транзистора типа n-p-n соединен с базой транзистора типа р-и-р через ,параллельно соединенные конденсатор и рези|5 стор и c,ïîëîæèòåëbíüâ| полюсом и сточника ,питания через последовательно соединенные резистор и диод.
