Патент ссср 271598

Союз Советских

Со@малмстммескмх

Республик

К АВТОРСИОФАУ CGHP575JlbCTQY (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.05.68 (21) 1236588/26-9 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет (51) М. Кл.-

Н 05 К 3/06

Государственный комитет

Gowa Министров СССР вв делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 26.05.70,Бюллетень № 18 (53) УДК 621.3.049..75:774 (088. 8) (45) Дата опубликования описания 12.04.77

В. П. Лаврищев, И. Н. Воженин, П. Е. Кандыба, изобретения

P. А. Морозова и П. A. Фоменко (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ

/квадрат предлагается использовать подслой, напыляемый для обеспечения адгезии золота к нижележащим слоям, что позволит исИзвестные способы изготовления микросхем не обеспечивают большого диапазона номиналов резисторов в одной микросхеме.

По предложенному способу обеспечение большого диапазона номиналов резисторов и упрощение технологии изготовления достигается тем, что резистивные слои с различным удельным сопротивлением наносят, на подложку последовательно по мере уменьшения удельного сопротивления, а техноло- тО гический слой используют для изготовления низкоомных резисторов.

Слои необходимо наносить по мере уменьшения уде.-. .ного сопротивления, т.к. при этом уменьшается ш, у п1 с р ужыме влияние ни, жележащих слоев на элементы в верхних ,слоях. Число резистивных слоев определя- ется диапазоном номиналов резисторов, входящих в микросхему, возможностями селективного химического травления их и требу- 20 емыми габаритами микросхемы и может быть равно одному, двум трем и более (например, резистивные слон с f =5000ом/квадрат, 500 ом/квадрат и 50 ом/квадрат).

Для изготовления резисторов с $ =50 ом/ 25 пользовать одну технологическую операцию для двух целей.

Изготовление микросхемы, содержащей резисторы с Я =50 ом/квадрат на основе пленок нихрома Х2ОН80 и cß=500oì/êâàäрат на основе металлосилицидного сплава

34 3, осуществляется следующим образом.

На подложку испарением в вакууме не нп-f же 1 10 мм рт.ст. наносят слои сплава

_#_ 3, а затем нихрома и золота.

При изготовлении отдельных слоев микросхемы использовался фоторезист ФП-354.

Травление слоев микросхемы ведется в травителях: контакты и коммутация (золото) в 5% — ном растворе бромной воды; резисторы с j =50 ом/квадрат (нихром

Х20Н80) в концентрированной соляной кислоте; резисторы с =500 ом/квадрат (сплав

%3) в 35 ч. азотной кислоты, 5 ч. плавиковой и 60 ч. дистиллированной воды.

271598.

Составитель В. Василькевич

ТехРед 0, Луговая КоРРектоР Л. Денпскина

Редактор A. Бер

Заказ 293/8 Тираж 1pg9 Подписное

UHHHIlII Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва,Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Формула изобретения

Способ изготовления микросхем, основанный на многократном избирательном хими-, ческом травлении, о т л и ч а ю ш и й— с я тем, что, с целью обеспечения большого диапазона номиналов резисторов в одной микросхеме и упрошения технологии изготовления, резистивные слои с различным

1 удельным сопротивлением наносят на подлож ку последовательно по мере уменьшения удельного сопротивления, а технологический слой используют для изготовления низкоомных резисторов.