Устройство задержки

268483

О П И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20.Х1.1967 (№ 1198440/26-9) Кл. 21ат, 36/02 с присоединением заявки №

МПК Н 03k 5/13

УДК 621.374.5(088.8) Приоритет

Опубликовано 10.1Ч.1970. Бюллетень ¹ 14

Дата опубликования описания 12.Ч111.1970

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрав

СССР

Автор изобретения

И. М, Жовтис

Заявитель

УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ

Изобретение может быть использовано в различных областях радиотехники и автоматики для формирования импульсов с длительностью, соизмеримой с периодом следования входных запускающих импульсов.

Известны устройства задержки в ждущих мультивибраторах для автоматического изменения длительности формируемых импульсов в зависимости от частоты следования запускающих импульсов.

Однако в известных устройствах чувствительность цепей автоматического регулирования максимальна при коэффициенте заполнения, близком к 0,5. С увеличением или у.меньшением коэффициента заполнения эффективность цепи автоматического регулирования падает, а при коэффициентах заполнения, близких к единице, цепь автоматического регулирования практически перестает действовать.

С целью повышения стабильности задержки при генерировании импульсов с высоким коэффициентом заполнения, близким к единице, в предлагаемом устройстве, содержащем ждущий мультивибратор и транзисторный усилитель, коллектор транзистора усилителя подключен к коллектору н. о. транзистора мультивибратора через два встречно включенных диода, между общей точкой которых и нулевым потенциалом включена параллельная

КС-цепь, На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит управляемый мультивибратор на транзисторах 1 и 2 с дополни5 тельным транзистором 8 для формирования импульсов с неограниченно малыми интервалами между ними. К коллектору транзистора

8 подключен усилитель на транзисторе 4, выход которого через диоды 5 и 6 соединен с

10 управляющим входом мультивибратора. Между анодами диодов и заземленным полюсом источника напряжения коллекторного питания включена параллельная RC-цепь, состоящая пз конденсатора 7 и резистора 8. На15 пряжение íà RC-цепи прп отсутствии входных импульсов равно потенциалу коллектора транзистора 4 усилителя за вычетом небольшого падения напряжения на диоде 5.

В исходном состоянии, т. е. до подачи вход20 ных запускающих импульсов, мультивибратор находится в ждущем устойчивом состоянии, при котором транзистор 1 закрыт, а транзистор 2 открыт и насыщен, что обусловлено подключением базы последнего через рези25 стор 9 к коллектору транзистора 1. Транзистор 8 также открыт и насыщен, так как эмиттер его соединен с коллектором насыщенного транзистора 2, а база через резистор 10— с коллектором закрытого транзистора 1. На30 пряжение на базе транзистора 3 равно сум268483 марному паденшо напряжения на собствен»ом базовом переходе и коллекторе транзистора 2, причем это напряжение меньше»о абсолютной величине, чем пороговое напряжение кремниевого диода 11, что вызывает непроводимость диода», следовательно, отсутствие базового тока транзистора 1. Времязадающий конденсатор 12 разряжен до напряжения базового перехода транзистора 3, а на коллекторной нагрузке 13 потенциал равен сумме падений напряжения»а»асыщепных транзисторах 2» 3.

Положительный запускающий импульс подается на коллектор транзистора 1 через ускоряющую емкость 14» попадает»а базу транзистора 2, закрывая его, в результате чего создается небольшой отрицатель»ыи скачок папря>кения на коллекторе, который открывает диод 11 и транзистор 1. Последний содействует дальнейшему запиранию транзистора 2 и удержанию его в закрытом состоянии в течение всего времени заряда конденсатора 12. Переброс мультивибратора и начало заряда емкости приводят также к запир анию тр а из и стор а 2.

Конденсатор 12 в основном заряжается через базовый переход транзистора 1, диод 11, резистор 15 и источник питания — E,. По мере заряда напряжение на конденсаторе 12 увеличивается и в некоторый момент времени оно достигает величины. при которой открывается диод б, что приведет к резкому уменьшению зарядного тока, выходу транзистора 1 из состояния насыщения и запиранию его. Затем следует быстрый процесс обратного опрокидывания мультивибратора, в результате чего транзистор 1 полностью запирается, а транзистор 2 — открывается и насыщается.

Напряжение па коллекторе транзистора 2 становится близким к нулю. Напряжение конденсатора 12 полностью прикладывается к базе транзистора 3, удерживая его в закрытом состоянии.

Начинается разряд конденсатора через открытый транзистор 2, резистор 10, коллекторную нагрузку транзистора 1 и источник питания. Разряд продолжается до тех пор, пока не откроется транзистор 8.

Таким образом, на коллекторе транзистора

1 формируется положительный импульс, соответствующий времени заряда ко»денсатора 12.

На коллекторе транзистора 2 выделяется экспоненционное напряжение заряда конденсатора, а с коллектора транзистора 3 снимается импульс, длительность которого соответствует суммарному времени заряда и разряда конденсатора.

В запертом состоянии транзистора 8 переходный конденсатор 16 заряжается, транзистор 4 открыт и насыщен. С окончанием импульса мультивибратора транзистор 8 открывается, а транзистор 4 усилителя запирается положительным напряжением на базовой обкладке конденсатора 1б. В запертом

5

45 состоянии транзистора 4 конденсатор 7 заряжается через диод 5, нагрузку 17 усилителя и источник питания. Величина заряда конденсатора 7 определяется длительностью запертого состояния усилителя. С последующим запуском мультивибратора транзистор 3 запирается, а транзистор 4 открывается и насыщается, при этом диод 5 отключает BC-контур от коллекторнои нагрузки усилителя, конденсатор 7 разряжается на резистор 8.

При поступлении на вход схемы периодической последовательности запускающих импульсов благодаря действию цепи автоматического регулирования в мультивибраторе устанавливается режим, при котором отношение длительности отрицательных импульсов на коллекторе транзистора 8 к длительности паузы между ними определяется соотношением величины сопротивлений резистора 8 и нагрузки 17.

Так как длительность импульсов мультивибратора пропорциональна управляющему напряжению, прикладываемому к аноду диода

6, т. е. напряжению íà RC-контуре, то всякое изменение длительности импульсов, вызванное, например, дестабилизирующими факторами, при постоянной частоте следования запускающих импульсов и неизменном отношении сопротивлений резистора 8 и нагрузки 17, вызывает реакцию цепи автоматического регулирования, которая приведет к сохранению прежней длительности импульсов.

Аналогичное изменение в определенных пределах частоты запускающих импульсов приводит к таким изменениям длительности импульсов мультивибратора, при которых коэффициент заполнения остается постоянным.

Приведенная схема задер>кки обеспечивает надежное генерирование импульсов с коэффициентом заполнения, близким к единице, при отсутствии жестких требований к стабильности практически всех элементов схемы.

Схема задержки может быть построена и на другом типе мультивибратора, в котором предусмотрена возможность изменения длительности импульсов с помощью управляющего напряжения.

Предмет изобретения

Устройство задержки, содержащее управляемый ждущий мультивибратор с дополнительным транзистором и усилитель, вход которого соединен с коллектором дополнительного транзистора, отлича ощееся тем, что, с целью повышения стабильности задержки при генерировании импульсов с коэффициентом заполнения, близким к единице, коллектор транзистора усилителя подключен к коллектору нормально открытого транзистора мультивибратора через два встречно включенных диода, между общей точкой которых и нулевым потенциалом включена параллельная

RC-цепь.

268483

Составите.1b М. Порфирова

Рсдак.ор T. H. Морозова Тскрсд А. A. Каvát . aaêîaa I îpðà;гср С. Л Кузовеиковд

3ака:> 219дт G Т p- i:- -I 0 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изо:>регеиий и огкры-,и при Слзстс Министров СССР

Москвa, /К-35, Рау;нская:!ao., д, 4;5

Типогра< >ия, пр. Сапунова, 2