Способ эпитлксиального выращивания кристаллов
268376
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОФАУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Со1оз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 11 1Х.1963 (№ 856458j23-26) Кл. 12с, 2 с присоединением заявки №
МПК В 010
УДК 66.065.6.542.65 (088.8) Приоритет
Опубликовано 10.1Ч.1970. Бюллетень ¹ 14
Дата опубликования описания 9Х11.1970
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Автор изобретения
В. Ф. Дорфман
Заявитель
СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ
Изобретение относится к области технологии выращивания кристаллов и может применяться при создании эпитаксиальных слоев полупроводниковых и других материалов.
Известны способы эпитаксиального выращивания кристаллов путем нагрева исходного вещества с последующей кристаллизацией целевого продукта, в которых газовая фаза насыщается кристаллизуемым веществом в одной зоне реактора, после чего поступает в другую зону, где происходит осаждение вещества на подложке.
Недостатками известных способов является то, что они дают низкий выход, а при их реализации затрудняется получение слоев однородной толщины.
Цель изобретения заключается в повышении выхода и улучшении однородности выращиваемых кристаллов по толщине. Это достигается тем, что в зоне кристаллизации создают градиент температуры, поперечный потоку газа, и параллельно подложке помещают исходное вещество.
Газовая фаза насыщается исходным веществом и непрерывно регенерируется .вдоль всей поверхности, на которой производят:выращивание кристаллов. Для этого параллельно поверхности осаждения (подложке) располага1от источник, газовый поток с транспортирующим агентом направляют параллельно источнику и подложке, а перпендикулярно подложке и оси потока создают градиент температур, направленный так, что перенос осуществляется от»сточника к подложке.
Пример 1. В качестве исгочнпка,используют поликристаллпческпй германий, в качестве .подложки — монокрпсталлпческии германий (арсенид галлпя). 1Лсточнпк и подложку располагают на расстоянии 0,1 — 2 сл1 друг от дру10 га, на источнике создают температуру 500—
600 С, на подлож e — 400 — 500 С и вдоль источника и подложки параллельно им пропускают газ (папрпмер гел*ий, аргон илп азот), содержащий под в концентрации 0,02 — 0,5 г/л.
15 В результате получают эппгакспальный слой германия (арсенида галлия) на подложке.
Максимальная длина подложки, и, следовательно, выращенного слоя определяется разMepowI реакционной трубы II ill0HieT cOcTBBEITb, 20 например. 1000 — 1500 лл1 и более. Выход процесса по целего»у веществу 90 — 95010 и более.
П р и м ер 2. Берут общий источник фосфида галлия, после него дополнительный источник фосфида галлия, расположенный параллельно
25 подложке из монокристаллического германия на расстоянии от нее 1 — 2 сл1. На подложке создают температуру 500 — 600 С, а на источнике — 600 — 800" С и поопускают поток газа, содержащего пары !1ода с концентрацией
З0 0,1 — 0,5 г/л па аллельно подложке в направ268376
Предмет изобретения
Составитель Л. A. Мовчан
Редактор Н. Л. Корченко Техред Л. Я. Левина Корректор Л. И. Гаврилова
Заказ 1775/4 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва SK-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, и лении от общего источника к дополнительному источнику и подложке. В результате получают эпитаксиальный слой фосфида галлия íà германии.
Способ эпитаксиального выращивания кристаллов путем нагрева исходного вещества с последующей кристаллизацией целевого продукта из газовой фазы, подаваемой на подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода и улучшения однородности выращиваемых кристаллов по толщине, в зоне кристаллизации создают градиент температуры, поперечный потоку газа, и параллельно подложке помещают исходное вещество.
