Стабилизированный мультивибратор на транзисторах
262I56
ОПИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл, 21а, 36/02
Заявлено 08.VII.1968 (№ 1255114/26-9), с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 261.1970. Бюллетень № 6
Дата опубликования описания ЗХ1,1970
МПК Н 03k
УДК 621,373.431.1:
:621.373.52(088.8) Комитет по двпвм изобретений и открытий при Совете Министров
СССР (1 ,,:. 1 !
Автор изобретения
Г. В. Петров
Московский инженерно-фи.з:ический институт, 1
Заявитель
СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР HA
ТРАНЗИСТОРАХ
Изобретение относится к области импульсной техники, а именно к стабилизированным импульсным устройствам.
Известны мультивибраторы с повышенной стабильностью, которая достигается использо ванием контура ударного возбуждения.
Однако этот способ неприемлем для микроэлектроники, так как требует изготовления индуктивностей больших величин.
В предлагаемом мультивибраторе для повышения стабильности частоты генерируемых импульсов коллекторы транзисторов избирательного усилителя подключены к средним резистивным слоям RC-структуры. При этом базы транзисторов заземляются, а эмиттеры соединяются со средними металлическими слоями RC-структуры через резонансные резисторы и через ограничительные резисторы— с одним полюсом источника смещения.
На чертеже приведена схема стабилизированного мультивибратора на транзисторах.
Мультивибратор построен по схеме с коллекторно-базовыми связями, с использованием трехслойных распределенных RC-структур.
Транзисторы 1 и 2 являются активными элементами мультивибратора, а транзисторы 8 и
4 — активными элементами избирательных усилителей. Пленочное сопротивление 5 служит коллекторным сопротивлением мультивибратора. Емкости б являются переходными
2 емкостями мультивибратора. Сопротивление
7 использовано в качестве базового сопротивления транзисторов 1 и 2. В однородной распределенной RC-структуре сопротивление 8 является коллекторным сопротивлением избирательного усилителя, слой 9 — пленочная емкость, а слой 10 — металлический слой. Сопротивления 11 и 12 служат резонансными сопротивлениями избирательного усилителя.
Эмиттеры транзисторов 8 и 4 подключены через сопротивления 18 и 14 к источнику смещения.
Как было сказано выше, в микроэлектронике трудно изготовить индуктивности больших номиналов, Поэтому вместо 1 С-контура ударного возбуждения был использован избирательный усилитель на распределенных
RC-структурах, который при ударном возбуждении дает на выходе такие же сигналы, как и 1 С-контур. Элементы, входящие в избирательный усилитель, легко реализуются в пленочной м икр оэлектр онике.
Мультивибратор работает следующим образом.
25 Выходной импульс с коллектора транзистора 1 запирает транзистор 2 и одновременно ударно возбуждает избирательный усилитель.
Сигналы с избирательного усилителя складываются с базовым сигналом транзистора та30 ким образом, чтобы конец второй полуволны
262156
Предмет изобретения
Составитель А. Мерман
Техред Л. В. Куклина
Корректор С. М, Сигал
Редактор Т. Иванова
Заказ 1274/1 Тираж 500 - - . Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр..Сапунова, 2 затухающей синусоиды совпал - бы с точкой пересечения уровня отпирания кривой базового напряжения.
Стабилизированный мультивибратор на транзисторах, содержащий времязадающие цепочки и резисторы, выполненные из трехслойных распределенных RC-структур со средними металлическими и резистивными слоями, избирательный усилитель, выполняющий функцию контура ударного возбуждения, собранный на двух транзисторах и упомянутых
RC-структурах с дополнительными источниками питания и смещения, отличающийся тем, что, -c целью йовыщенйя стабильности.,частоты генерируемых импульсов, коллекторы транзисторов избирательного усилителя: 1тод-- -- ключены- — к --среднмм--.резистивным слоям
RC-структуры, базы заземлены, а эмиттеры транзисторов соединены со средними метал10 лическими слоями RC-структуры через резонансные резисторы и через ограничительные резисторы соединены с одним полюсом источника смещения.
