Мостовой усилительпатентно- 1 ft«"

ОПИСАНИЕ

ИЗОЫРЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

251625

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19.1.1968 (№ 1211413/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 10,1Х,1969. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 3.11.1970

Кл. 21а>, 18!08

МПК Н 031

УДК 621.375.9 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете йвинистрое

СССР

Автор - обретения

В. В. Фомин

Заявитель

3 Д ИЛТЕИТЦ0 1

1 « У1111(« С1:Pq тИЬл11Я е А

МОСТОВОЙ УСИЛИТЕЛЪ

Известны мостовые усилители на транзисторах, связанных с предыдущим (управляющим) каскадом (например, широтно-импульсным модулятором) через трансформатор, имеющий четыре вторичные обмотки, питающие базовые цепи транзисторов.

Использование трансформатора увеличивает вес и габариты аппаратуры, а также усложняет получение на вторичных обмотках импульсного сигнала с необходимыми формой и параметрами из-за зависимости индуктивности первичной обмотки от степени подмагничивания сердечника.

Применяемая реже бестрансформаторная (гальваническая) связь транзисторов мостового усилителя с управляющим каскадом реализуется, как правило, четырехкратным повторением управляющего каскада или его частей.

В предлагаемом мостовом усилителе расширен частотный диапазон и упрощены входные цепи (и, как следствие этого, обеспечена возможность гальванической связи с управляющим каскадом и упрощены управляющий каскад и межкаскадная связь).

Это достигается тем, что база каждого транзистора, эмиттер которого соединен с положительным полюсом источника питания, подключена к управляющему каскаду, коллектор соединен с базой смежного транзистора непосредственно, через резистор — с отрицательным полюсом источника питания, а через диод— с эмиттером смежного транзистора и нагрузкой.

Принципиальная схема предлагаемого мос5 тового усилителя представлена на чертеже.

Транзисторы 1 4 и нагрузка 5 образуют обычную схему мостового усилителя. Резисторы б и 7 обеспечивают отпирание соответственно транзисторов 1 и 2, диоды 8 и 9 — их

10 запирание.

При отпирании транзистора 8(4) сигналом управляющего каскада его коллекторный ток, во-первых, частично протекает по резистору

6(7), во-вторых, частично протекает через диод

15 8(9), резистор 5, эмиттерный переход транзистора 2(1) и резистор 7(6), отпирая транзистор 2(1), и, в-третьих, в основном протекает через диод 8(9), резистор 5 и транзистор 2(1).

При этом падение напряжения на диоде 8(9)

20 запирает транзистор 1(2).

При управлении импульсами (плп сигналом) одной полярности запирание транзистора 4(8) может быть выполнено введением об25 щего эмиттерного резистора (пли диода).

Насыщение транзисторов l и 2 в общем слу чае может быть достигнуто использованием дополнительного источника питания (положительные полюсы объединены, резисторы 6 и 7

30 соединены с отрицательным полюсом).

251625

Составитель Н. Парасенчикова

Редактор Т. 3. Орловская Техред А. А. Камышникова Корректор Т. А. Абрамова

Заказ 31/14 Тираж 480 11одписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

При управлении двигателем постоянного тока с последовательным возбуждением якорь двигателя подключается на место резистора 5, а обмотка возбуждения — между объединенными коллекторами транзисторов 1 и 2 и отрицательным полюсом источника питания, что обеспечивает насыщение.

Управление транзисторами 8, 4 осуществляется посредством гальванической связи (например, включением эмиттерных переходов транзисторов 8, 4 непосредственно в эмиттерные цепи транзисторов управляемого мультивибратора) с использованием общего источника питания. Управление транзисторами 8, 4 может быть выполнено также с помощью трехпозиционного поляризованного реле или тумблера.

Предмет изобретения

5 Мостовой усилитель на четырех транзисторах, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона усилителя и упрощения входных цепей, база каждого транзистора, эмиттер которого соединен с положи10 тельным полюсом источника питания, подключена к управляющему каскаду, коллектор соединен с базой смежного транзистора непосредственно, через резистор — с отрицательным полюсом источника питания, а через диод—

1S с эмиттером смежного транзистора и нагрузкой.