Функциональный преобразователь
.24И60—
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
11 Л Т с „",! 1 1(;iI
ТЕХНО - ;:,,„. „-
БИБлидИЪ 3
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 26.11,1968 (№ 1221167/18-24) с. присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 1I.VI.1969. Бюллетень ¹ 20
Дата опубликования описания 31.Х.1969
Кл. 42пт4, 7/16
42m5, 3j00
Хомитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК О 06@
G 06j
УДК 681.335.5.058 (088.8) Авторы изобретения
А. А. Степанян, Е. И. Загудаев и В. М. Катков
Заявитель
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
Известны функциональные преобразователи, содержащие термоизмерительные мосты, эмиттерные повторители и регулирующие транзисторы.
Предложенный преобразователь отличается от известных тем, что в нем используется принцип поддержания постоянства мощности, рассеиваемой регулирующим транзистором, на поверхность кристалла которого напылен терморезисторный слой резистора одного из плеч моста.
Это позволяет упростить схему и повысить точность воспроизведения.
На чертеже приведена схема преобразователя.
Функциональный преобразователь включает в себя термоизмерительный мост 1, состоящий из терморезисторов 2 и 8 и резисторов 4 и 5; питание моста осуществляется от источника опорного напряжения б. Эмиттерный повторитель 7 служит в качестве согласующего звена. На регулирующем транзисторе 8 поддерживается постоянная мощность. Терморезистор 2 служит для температурной стабилизациии.
Переменным резистором 4 транзистор 8 вводится в необходимый тепловой режим работы. При изменении входного напряжения
U,„соответственно изменяется тепловая мощность, рассеиваемая на транзисторе 8, что влечет за собой изменение температуры кристалла этого транзистора. С изменением температуры кристалла транзистора 8 соответственно изменяется температура терморезистора 8, находящегося в тепловом контакте с кристаллом транзистора 8. Изменение сопротивления терморезистора 8 вызывает разбалансировку термоизмерительного моста 1.
Напряжение разбалансировки моста через
1п эмиттерный повторитель 7 подается на базу регулирующего транзистора 8, который изменяет коллекторный ток так, чтобы мощность, рассеиваемая на кристалле транзистора, оставалась постоянной.
1s Электрическая мощность, потребляемая транзистором 8 в установившемся тепловом режиме, равна тепловой мощности рассеяния.
Следовательно, при постоянной температуре кристалла электрическая мощность, потреб2р ляемая транзистором, также постоянна
P=U 1=k=const, где U — напряжение на коллекторе транзистора 8, 25
I — ток коллектора транзистора 8, отсюда
1=: .
При подаче на коллектор транзистора 8
3р входного напряжения, равного U, и появлении
246160
-А
1=
Составитель Е. Б. Елагин
Редактор Е. В. Семанова Техред Л. Я. Левина Корректор Г. И. Тарасова
Заказ 2761/7 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2 тока 1 коллектора имеет место функциональное преобразование вида
Преобразователь может найти применение в аналоговых счетно-решающих устройствах.
Предмет изобретения
Функциональный преобразователь, содержащий термоизмерительный мост, эмиттерный повторитель и регулирующий транзистор, 5 отличающийся тем, что, с целью прощения схемы и повышения точности воспроизведения, в нем терморезисторный слой резистора одного из плеч моста напылен на поверхность кристалла регулирующего транзистора.
