Функциональный преобразователь
.24И60—
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
11 Л Т с „",! 1 1(;iI
ТЕХНО - ;:,,„. „- БИБлидИЪ 3 Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 26.11,1968 (№ 1221167/18-24) с. присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 1I.VI.1969. Бюллетень ¹ 20 Дата опубликования описания 31.Х.1969 Кл. 42пт4, 7/16 42m5, 3j00 Хомитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров СССР МПК О 06@ G 06j УДК 681.335.5.058 (088.8) Авторы изобретения А. А. Степанян, Е. И. Загудаев и В. М. Катков Заявитель ФУНКЦИОНАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ Известны функциональные преобразователи, содержащие термоизмерительные мосты, эмиттерные повторители и регулирующие транзисторы. Предложенный преобразователь отличается от известных тем, что в нем используется принцип поддержания постоянства мощности, рассеиваемой регулирующим транзистором, на поверхность кристалла которого напылен терморезисторный слой резистора одного из плеч моста. Это позволяет упростить схему и повысить точность воспроизведения. На чертеже приведена схема преобразователя. Функциональный преобразователь включает в себя термоизмерительный мост 1, состоящий из терморезисторов 2 и 8 и резисторов 4 и 5; питание моста осуществляется от источника опорного напряжения б. Эмиттерный повторитель 7 служит в качестве согласующего звена. На регулирующем транзисторе 8 поддерживается постоянная мощность. Терморезистор 2 служит для температурной стабилизациии. Переменным резистором 4 транзистор 8 вводится в необходимый тепловой режим работы. При изменении входного напряжения U,„соответственно изменяется тепловая мощность, рассеиваемая на транзисторе 8, что влечет за собой изменение температуры кристалла этого транзистора. С изменением температуры кристалла транзистора 8 соответственно изменяется температура терморезистора 8, находящегося в тепловом контакте с кристаллом транзистора 8. Изменение сопротивления терморезистора 8 вызывает разбалансировку термоизмерительного моста 1. Напряжение разбалансировки моста через 1п эмиттерный повторитель 7 подается на базу регулирующего транзистора 8, который изменяет коллекторный ток так, чтобы мощность, рассеиваемая на кристалле транзистора, оставалась постоянной. 1s Электрическая мощность, потребляемая транзистором 8 в установившемся тепловом режиме, равна тепловой мощности рассеяния. Следовательно, при постоянной температуре кристалла электрическая мощность, потреб2р ляемая транзистором, также постоянна P=U 1=k=const, где U — напряжение на коллекторе транзистора 8, 25 I — ток коллектора транзистора 8, отсюда 1=: . При подаче на коллектор транзистора 8 3р входного напряжения, равного U, и появлении 246160 -А 1= Составитель Е. Б. Елагин Редактор Е. В. Семанова Техред Л. Я. Левина Корректор Г. И. Тарасова Заказ 2761/7 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 тока 1 коллектора имеет место функциональное преобразование вида Преобразователь может найти применение в аналоговых счетно-решающих устройствах. Предмет изобретения Функциональный преобразователь, содержащий термоизмерительный мост, эмиттерный повторитель и регулирующий транзистор, 5 отличающийся тем, что, с целью прощения схемы и повышения точности воспроизведения, в нем терморезисторный слой резистора одного из плеч моста напылен на поверхность кристалла регулирующего транзистора.
