Способ получения антидинатронного покрытия на керамике

Авторы патента:

H01J9/28 - изготовление вводных проводников

ОП ИСАЙИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

243 68I

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24Х11.1967 (№ 1176104/26-25) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 05.V.1969. Бюллетень Ло 16

Дата опубликования описания 26.IX.1969

Кл. 21g, 13/08

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК H 0iq

УДК 621.3.032.755 (088.8) Авторы изобретения

В. Г. Аветиков, А. А. Звягильский, М. Д. Бершадская, Г. М. Приезжев и О. И. Павлов

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИДИ НАТРОН НОГО

ПОКРЫТИЯ НА КЕРАМИКЕ

При работе электровакуумных приборов большой мощности происходят перегрев и разрушение керамического диэлектрического вывода энергии, вызываемые вторичным электронным разрядом в выводе энергии. В настоящее время для подавления этого разряда керамику покрывают металлами (например, титаном) путем распыления в вакууме и диэлектриком с малым коэффициентом вторичной электронной эмиссии.

Известен способ получения антидинатронного покрытия на керамике путем нанесения его на покрываемую поверхность с последующей термообработкой.

Металлические покрытия вызывают дополнительные омические потери, приводящие к дополнительному разогреву керамики, поэтому толщина распыленного металла должна быть строго ограничена, что технологически трудно осуществимо, особенно на изделиях сложной конфигурации.

В случае диэлектрического покрытия вторичный электронный резонансный разряд снижается, но при этом возможно постепенное накопление на поверхности диэлектрика электрического заряда, что может привести к возникновению скользящего разряда с керамики на металлическую манжету и к разрушению керамического изделия.

Предлагаемый способ получения антидинатронного покрытия на керамике отличается тем, что на керамические изделия наносят порошкообразную пятиокись ванадия (ЧеОз), которая после закрепления на керамике термической обработкой в восстановительной среде при 1000 вЂ” 1500 С превращается в покрытие, представляющее собой полупроводник с высоким омическим сопротивлением и низким коэффициентом вторичной электронной эмиссии.

Преимущество этого способа состоит в том, что толщина покрытия может колебаться в широких пределах из-за достаточно высокого омического сопротивления покрытия, не вызывающего существенных дополнительных электрических потерь керамики.

Кроме того, благодаря черному цвету по20 крытия увеличивается отвод тепла от керамики-подло>кки излучением.

Сущность предлагаемого способа состоит в следующем.

Порошкообразную пятиокись ванадия сме25 шивают с биндером в мешалке. Полученную суспензию наносят на керамику окунанием, намазкой или распылением в зависимости от вида покрываемых изделий. Покрытие закрепляют термической обработкой в среде фор30 миргаза или водорода при температуре 1000 вЂ”243081

Составитель И. Ратенберг

Корректоры: Л. Иванова и Г. Судоржеико

Редактор b. Б. Федотов Техрсд А. А. Камышникова

Заказ 2393,8 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

1500 С в зависимости от вида керамического материала.

Предмет изобретения

Способ получения антидинатронного покрытия на керамике путем нанесения его на покрываемую поверхность с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью снижения коэффициента вторичной эмиссии поверхности керамики и возможности накопления на ней электростатического заряда, наносят слой пятиокиси ванадия, а термообработку проводят в восстановительной среде при температуре 1000 вЂ 15 С.