Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава. Состав раствор-расплава определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs2O + Li2O) - B2O3 - MoO3 со следующими координатами точек, мол.доли: А: Li2O - 0,15; Cs2O - 0,15; B2O3 - 0,70; MoO3 - 0; B: Li2O - 0,17; Cs2O - 0,17; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,06; C: Li2O - 0,16; Cs2O - 0,16; B2O3 - 0,54; MoO3 - 0,14; D: Li2O - 0,13; Cs2O - 0,13; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,14; E: Li2O - 0,10; Cs2O - 0,10; B2O3 - 0,80; MoO3 - 0. Используют затравку, ориентированную в направлении [011], а снижение температуры расплава проводят от 810-840 до 770-800oC со скоростью 1-2oC/сутки. Применение растворителя MoO3 с низкой вязкостью, а также проведение роста в направлении [011] обеспечивает возможность получения крупных монокристаллов CLBO с размером до 55
50
17 мм3, характеризующихся высокими показателями оптического качества, что позволяет изготавливать оптические элементы размером до 10
10
15 мм3. 2 ил.
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из раствор-расплавов, в частности монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10(CLBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения.
Известен способ синтеза соединения CsLiB
6O
10, согласно которому получают кристаллы размером 13

12

10 см из расплава исходных компонентов Li
2CO
3, Cs
2CO
3 и B
2O
3 методом Киропулоса на затравку [1]. Данным способом показана возможность синтеза кристаллов заданного состава, пригодных для генерации гармоники лазерного излучения, и рассмотрена структура полученного соединения.
Известен способ выращивания монокристалла двойного цезий - литий бората из стехиометрического расплава или из раствор-расплава из чистого раствора исходных компонентов или с введением в раствор добавки B
2O
3 или Cs
2O, Li
2O[2-4].
Кристаллы выращивают на затравку при снижении температуры от 845
oC до 844
oC со скоростью снижения температуры около 0,1
oC/сутки.
Получены кристаллы CLBO размером 29х20х22 мм
3.
Однако при проведении роста в системе (Cs
2O + Li
2O) - B
2O
3 с избытком или недостатком B
2O
3 по отношению к стехиометрическому составу осуществлять процесс технологически сложно вследствие высокой вязкости расплава, склонности к переохлаждению и массовой кристаллизации. Это приводит к получению кристаллов с макровключениями растворителя.
Для повышения оптического качества и усовершенствования технологии роста при получении кристаллов CLBO из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава выращивание проводят на затравку, ориентированную в направлении [011] , из расплава системы (Cs
2O+Li
2O) - B
2O
3 - MoO
3, состав которой определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы, при снижении температуры от 810 - 840 до 770 - 800
oC со скоростью снижения 1 - 2
oC/сутки, при этом координаты системы определены точками мол. доли: A: Li
2O-0,15; Cs
2O-0,15; B
2O
3-0,70; MoO
3-0 B: Li
2O- 0,17; Cs
2-0,17; B
2O
3-0,60; MoO
3-0,06 C: Li
2O-0,16; Cs
2O-0,16; B
2O
3-0,54; MoO
3-0,14 D: Li
2O-0,13; Cs
2O-0,13; B
2O
3-0,60; MoO
3-0,14 E: Li
2O-0,10; Cs
2O-0,10; B
2O
3 -0,80; MoO
3-0.
На фиг. 1 представлена фазовая диаграмма системы, на которой изображена заявляемая область ABCDE кристаллизации CLBO и отрезок концентраций AE по прототипу; на фиг. 2 - фотография кристалла CLBO высокого оптического качества размером 55х50х17 мм
3 без включений растворителя.
Диаграмма изучена методом спонтанной кристаллизации.
Результаты исследования фазовой диаграммы показали, что кристаллизация за пределами указанной области приводит к образованию боратов другого состава.
Заявляемые составы системы могут быть использованы в различных методах выращивания CLBO из раствор-расплава методом снижения температуры, как без вытягивания, так и с вытягиванием.
Выбранное направление ориентации затравки [011] обусловлено тем, что в этом направлении кристалл не растет вглубь расплава, обеспечивая хорошую естественную конвекцию в расплаве, отсутствие застойных зон и, как следствие, отсутствие включений растворителя во всем объеме кристалла, что позволяет максимально использовать полезный объем материала при изготовлении оптических элементов.
Использование растворителя с низкой вязкостью (MoO
3) приводит к снижению температуры ростового плава вплоть до 770
oC и обеспечивает возможность управления процессом роста.
Таким образом, заявленная совокупность признаков обеспечивает получение кристаллов CLBO, максимальные размеры которых составляют 55х50х17 мм
3, характеризующихся высокими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов размером до 10х10х15 мм
3.
Пример. Для получения кристалла CLBO использован расплав состава, мол. доли: Cs
2O-0,15; Li
2O-0,15; B
2O
3-0,62; MoO
3-0,08. Навески исходных реактивов: Cs
2CO
3 осч - 240,90 г; Li
2CO
3 осч - 54,65 г; B
2O
3 осч - 212,75г; MoO
3 чда - 56,8 г механически перемешивают, смесь загружают в платиновый тигель объемом 400 см
3 и помещают в печь при температуре 850
oC для получения расплава. Для гомогенизации плав нагревают до 950
oC, затем охлаждают на 5
oC выше температуры начала кристаллизации. После стабилизации температуры в расплав вносят на платиновом стержне затравку из монокристалла CLBO, ориентированную в направлении [011], и начинают рост при снижении температуры со скоростью 1 - 2
oC/сутки. Через 20 суток (500 час) кристалл достигает размера 55х50х17 мм
3 без включений во всем объеме. После чего его поднимают над поверхностью расплава. Снижение температуры до комнатной проводят со скоростью 10
oC/час.
Источники информации 1. Acta Crystallogr/, Sect.C: Cryst. Struct. Commun., 1995, C51(11), p. 2222-4.
2. Патентная заявка ЕР 94-693581, опубл. 18.07.95, кл. C 30 B 15/00.
3. Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67 (13), 25, h. 1818-1890.
4. J. Cryst. Growth, 1995, v. 156, p. 307-309 (прототип).
Формула изобретения
Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB
6O
10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава, отличающийся тем, что рост ведут из расплава, состав которого определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs
2O+Li
2O)-B
2O
3-MoO
3 со следующими координатами точек, мол. доли: A: Li
2O - 0,15; Cs
2O - 0,15; B
2O
3 - 0,70; MoO
3 - 0; B: Li
2O - 0,17; Cs
2O - 0,17; B
2O
3 - 0,60; MoO
3 - 0,06;
C: Li
2O - 0,16; Cs
2O - 0,16; B
2O
3 - 0,54; MoO
3 - 0,14;
D: Li
2O - 0,13; Cs
2O - 0,13; B
2O
3 - 0,60; MoO
3 - 0,14;
E: Li
2O - 0,10; Cs
2O - 0,10; B
2O
3 - 0,80; MoO
3 - 0,
затравку используют, ориентированную в направлении [011], а снижение температуры расплава проводят от 810 - 840 до 770-800
oC со скоростью 1-2
oC/сутки.
РИСУНКИ
Рисунок 1,
Рисунок 2