Способ получения монокристаллов
Использование: в области электронной промышленности для получения высокотемпературных сверхпроводников-ВТСП. Способ включает выращивание монокристаллов YBa2Cu3O7-б (К) из раствора-расплава состава (мас. % ) : BaCu2O2 60 - 95 и CuO 5 10. Температура процесса 820 - 830С. Получены К размером 55
0,01 мм3.
Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов, в частности YBa2Cu3O7 - , которые могут быть использованы в электронной промышленности для изготовления приборов, работающих при температуре жидкого азота.











Формула изобретения
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Y Ba2Cu3O7-
Похожие патенты:
Изобретение относится к способам получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих (СП) материалов, в частности висмут-свинец-стронций-кальциевого купрата со структурой фазы 2:2:1:2
Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе метаплооксидов и может быть использовано в микроэлектронике
Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидов и может быть использовано при разработке новых приборов микроэлектроники
Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидоп и может быть использовано при разработке новых приемов микроэлектроники Способ включает нагрев криааплообразующих оксидов и растворителя выдержку попу енного растворарасплава и последующее охлаждение, обеспечивает увеличение размеров фисталлов в кристаллографическом направлении ( 001 Растсоритепь содержит оксид бария и меди в мольном соотношении (0,4 - 0,5) 8аО:СиО
Способ получения тетраиндида рубидия // 813979
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам обработки подложек из оксидов, в частности из фианита, и может быть использовано в производстве эпитаксиальных структур, преимущественно с соединениями ВТСП (высокотемпературных сверхпроводников)
Изобретение относится к способам получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводящих (СП) материалов, в частности висмут-свинец-стронций-кальциевого купрата со структурой фазы 2:2:1:2
Способ сращивания монокристаллов оксидов // 1814332
Изобретение относится к области получения монокристаллов со структурой силленита и элементов из них больших размеров, в частности монокристаллов: Bi12SiO20 (BSO); Bi12GeO20 (BGO); Bi12TiO20 (ВТО)
Изобретение относится к способу получения кристаллов тугоплавких оксидов на основе диоксида циркония или гафния для производства ювелирных камней, а также может быть использовано в оптике для изготовления различных оптических элементов
Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в частности YBa2Cu3O7-