Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей
ОП ИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
2II899
Сотоз С оеетски к
Социалистическик
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 28.111.1967 (№ 1144098/26-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 19.11.1968. Бюллетень № 8 л. 42s, 1/06
МПК В 06Ь
УД К 534.232 (088,8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Дата опубликования описания 24.IV 1968
Авторы изобретения
Д. В. Шелопут, В. К. Зандин и В. М. Мастихин
Заявитель Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ
ДЛЯ УЛЬТРАЗВУКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
Известны способы получения кристаллов для ультразвуковых преобразователей на основе обедненных слоев сульфида кадмия, заключающееся в том, что:на полированные грани низкоомного образца сульфида кадмия, перпендикулярные иля параллельные оптической оси в зависимости от того, для какого типа волн создается преобразователь, гпродольных или поперечных, в вакууме 10 — лил рт, ст. испарением наносится слой меди. После .этого образец прогревается в вакууме 10-з мм рт. ст. до + 400 С в течение 2 — 20 иин с целью проведения диффузии меди в низкоомный кристалл. Легированный медью:слой сульф ида кадмия обладает высоким сопротивлением и является активным пьезоэлекприческим слоем.
Известный способ обладает рядом недостат,ков: низкой температурной стабильностью основных параметров полученных преобразователей из-за возможности дальнейшей диффузии меди, что ограничивает использование подобных преобразователей в различных устройствах, например ультразвуковых линиях задержки, и сложно тью технологии ввиду наличия вакуумных операций.
По предложенному способу обедненный носителем слой создают отжигом низ коомного кристалла в атмосфере серы. Эго позволяет повысить температурную стабильность основных параметров кристаллов и упростить процесс их изготовления.
Пластинки сульфида кадмия с плоскопараллельными поверхностями помещаются вместе с серой в стеклянную ампулу. Ампула закрывается, вносится в печь, температура когорой
+500 С, и выдерживается в печи в течение
0,3 — 8 час в зависимости от требуемой основной частоты преобразователя. В этих условиях сера расплавляется и образцы огжигаются в жидкой сере.
Предмет изобретения
Способ изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей на основе обедненных слоев сульфида кадмия, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности основных параметров кристаллов и упрощения процесса их изготовления, обедненный носителями слой создают отжитом низкоомного кристалла в атмосфере серы.
