Композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках
Авторы патента:
Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем в микроэлектронике. Сущность изобретения: композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках содержит моносилан, кислород и триэтилфосфат при определенном их количественном соотношении.
Изобретение относится к элементоорганическим материалам, в частности к получению легированных фосфорсиликатных стеклянных пленок, и предназначено для использования в технологии изготовления полупроводниковых приборов и больших интегральных схем (БИС) в микроэлектронике.
Современные БИС имеют несколько уровней коммуникации, разделенных слоями диэлектрической изоляции. В качестве межуровневых диэлектриков обычно применяется содержащая легирующие примеси двуокись кремния. Для предотвращения нарушений целостности металлических проводников на развитом рельефе БИС в технологии используются различные способы планаризации рельефа микросхем. Одним из наиболее используемых способов планаризации рельефа является оплавление фосфорсиликатного стекла (ФСС), применяемого в качестве межуровневого диэлектрика. При массовом содержании фосфора 8-10% это стекло становится пластичным при высокой температуре и обеспечивает необходимую планаризацию рельефа БИС [1] Известен способ получения пленок фосфорсиликатного стекла, применяемых для разделения слоев металлизации, а также в качестве диэлектрика в конденсаторах, при температурах 300-500оС в потоке инертных газов путем окисления SiH4 и РН3 кислородом [2] Недостатком этого способа является повышенная пористость полученных пленок из-за образования и внедрения в пленки порошкообразного продукта, образу- ющегося на начальном этапе их роста. Для такой же композиции (SiH4-O2-PH3) удовлетворительные результаты по содержанию фосфора в ФСС при низкотемпературном пиролизе (300-500оС) получены при скорости потока газа 12 л/мин, давлении 0,1 торр и мольной доле РН3, равной 0,15 [3] В то же время использование в технологии производства ФСС газовой смеси фосфина (РН3) с аргоном осложняется тем фактом, что хотя эта смесь является разбавленной, однако РН3 высокотоксичный газ 1 класса опасности, взрывоопасный и при использовании его необходимо в целях безопасности персонала соблюдать целый ряд требований, первоочередными из которых являются: непрерывный контроль содержания РН3 в воздухе рабочей зоны; специальное помещение для хранения баллонов с РН3. Кроме того, практическое использование РН3 осложняется тем, что и транспортировка его очень дорогостоящее и далеко не безопасное мероприятие. В этой связи возникла необходимость замены фосфина (РН3) менее токсичными фосфорсодержащими реагентами. Известны попытки замены РН3 на менее токсичные алкоксиды фосфора, в частности триметилфосфат (CH3O)3P=0} однако ввиду высокой температуры кипения (196оС) и низкой летучести данный реагент недостаточно входит в реакцию и максимальное количество фосфора в слое не превышает 2 мас. (что является неприемлемо низкой величиной). В схожих условиях окситрихлорид фосфора по эффективности близок к триметилфосфату. Цель изобретения замена высокотоксичного РН3 на фосфорсодержащий реагент, позволяющий исключить присущие РН3 недостатки и обеспечивающий легирование слоя ФСС фосфором до уровня 8-10% Цель достигается тем, что в качестве фосфорсодержащего компонента в процесс низкотемпературного пиролиза вводят триэтилфосфит (С2Н5О)3Р, малотоксичный (III класс опасности) фосфорсодержащий реагент, не требующий применения комплекса мер предосторожности, характерных при использовании высокотоксичного РН3. Осаждение слоев ФСС проводят на установке для процессов осаждения слоев в реакторе пониженного давления на основе диффузионной печи, модернизированной в части изготовления дополнительного блока для подачи паров жидкостных реагентов в реактор путем барботирования газа носителя (азота) через питатель с реагентом. Регулировка и контроль газов (SiH4, O2) осуществлялась регуляторами расхода газов (РРГ-1), а для паров триэтилфосфита применялся ротаметр. Давление газов в реакторе измерялось с помощью вакуум-метра деформационного газоразрядного (ВДГ-1). П р и м е р 1. Для получения пленок ФСС толщиной d=0,6 мкм на пластинах кремния р-, n-типа, ориентации <100> с удельным сопротивлением 4 Ом












Формула изобретения
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ФОСФОРСИЛИКАТНОГО СТЕКЛА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ, включающая моносилан, кислород и фосфорсодержащее соединение, отличающаяся тем, что в качестве фосфорсодержащего соединения композиция содержит триэтилфосфит при следующем количественном соотношении ингредиентов, моль: Моносилан 1Кислород 7
Триэтилфосфит 1
Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, а именно к технологии получения диэлектрических слоев на кремниевых подложках, и может быть использовано при изготовлении приборов по МОП- и КМОП-технологии, а также в сенсорной микроэлектронике при изготовлении газовых датчиков, выполненных из пленок диоксида кремния
Способ получения слоев оксида кремния // 2013819
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения диэлектрических слоев при низких температурах
Способ изготовления моп-структур // 2012091
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве КМОП полупроводниковых приборов, стойких к воздействию внешних факторов, в частности гамма-излучения
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов, в частности МДП-приборов на полупроводниках типа АIIIВV
Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов, в частности МДП-приборов на полупроводниках типа АIIIВV
Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение в технологии МДП-приборов, в частности многоэлементных приемников на узкозонных полупроводниках типа АIIIВV
Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов
Способ нанесения пленок // 2102814
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Способ получения борсодержащих пленок // 2129321
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов
Способ получения защитных пленок // 2176421
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)
Способ химической обработки пластин кремния // 2228563
Способ создания диэлектрического слоя // 2274926
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи