Способ осаждения алмазных покрытий в плазменной струе
Изобретение относится к методам химического газофазного осаждения покрытий, в частности в струе термической плазмы. В способе для осаждения алмазного покрытия используют в качестве газа-носителя воздух, а углеводород добавляют в область взаимодействия струи с подложкой. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к методам химического газофазного осаждения покрытий, в частности к использованию струй термической плазмы для осаждения алмазных покрытий.
Известны способы осаждения алмазных покрытий в струях дуговых плазмотронов постоянного тока с использованием газа-носителя из смеси аргона и водорода и углеводородных газов-реактантов [1] Недостатками этих способов являются небольшая область осаждения, обусловленная малым сечением струи дугового плазмотрона (
Формула изобретения
1. СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ В ПЛАЗМЕННОЙ СТРУЕ, включающий нагрев подложки в струе газа-носителя с добавлением углеводородного газа-реактанта, отличающийся тем, что в качестве газа-носителя используют воздух. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что газ-реактант вдувают в область взаимодействия воздушной плазменной струи с подложкой.РИСУНКИ
Рисунок 1
Похожие патенты:
Способ эпитаксиального выращивания алмаза // 2008258
Изобретение относится к способам выращивания алмаза на алмазную подложку и может быть использовано для увеличения размеров алмаза с целью применения их для различных технически нужд, например в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц
Способ выращивания алмазов // 2006538
Способ упрочнения кристаллов // 1813126
Термостойкое покрытие // 1737035
Способ получения алмазов // 1644996
Способ получения алмазоподобных пленок // 1610949
Изобретение относится к микроэлектронике, оптике, физике тонких пленок, может быть использовано, например, для получения защитных покрытий зеркал, обеспечивает получение однофазных, бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению
Изобретение относится к кристаллизации алмаза из газовой фазы, и может быть использовано в электронике, приборостроении, лазерной и рентгеновской технике и обеспечивает повышение скорости роста слоев
Способ получения электропроводного алмаза // 1137788
Способ кристаллизации углерода // 117544
Способ выращивания алмазов // 2006538
Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений при высоких температурах в гетерогенных селикатных средах
Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА), в том числе с полупроводниковыми свойствами
Способ получения алмазоподобных покрытий // 2111292
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания изолирующих, защитных и маскирующих покрытий, а также в других областях техники для создания механически прочных и износостойких покрытий
Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления
Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений в ходе протекания физико-химических цепных реакций в гетерогенных силикатных средах при высоких температурах
Изобретение относится к изготовлению промышленных алмазов, а точнее к способам изготовления поликристаллических алмазных слоев для электронной промышленности, точной механики, микротехнологии
Способ получения искусственных алмазов // 2122050
Изобретение относится к способам получения алмазов, а более точно к способам прямого превращения графита в алмаз в области термодинамической устойчивости последнего
Изобретение относится к области изготовления сверхтвердых материалов из углеродной массы
Способ получения алмазов // 2124079
Изобретение относится к производству искусственных алмазов с помощью взрыва
Способ получения алмазов // 2124590
Изобретение относится к производству искусственных алмазов способом ударного прессования графитного порошка