Способ получения электропроводного алмаза

Авторы патента:

C30B31/20 - легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами

Способ получения электропроводного алмаза, включающий облучение его нейтронами и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения заданного электросопротивления в диапазоне 10¹¹ - 10^-1Ом см независимо от природы исходного алмаза, облучение ведут флюенсом нейтронов 3 10¹⁹ - 1,5 10²¹ нейтрон/см² с энергией более 0,5 МэВ при температуре 70 - 500^oC, а отжиг при давлении 10^-1 - 10¹⁰ Па и температуре 300 - 1400^oC.

Способ обработки материалов // 1055784

Способ получения легированного кремния // 1005511

Способ легирования теплообменника и устройство для его осуществления // 826810

Способ получения кристаллов фотохромного // 400137

Способ кристаллизации углерода // 117544

Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации // 2102542

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений при высоких температурах в гетерогенных селикатных средах

Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации // 2106437

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА), в том числе с полупроводниковыми свойствами

Способ получения алмазоподобных покрытий // 2111292

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания изолирующих, защитных и маскирующих покрытий, а также в других областях техники для создания механически прочных и износостойких покрытий

Способ получения искусственных кристаллов алмаза особо крупных размеров // 2118562

Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления

Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации // 2118672

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений в ходе протекания физико-химических цепных реакций в гетерогенных силикатных средах при высоких температурах

Способ получения поликристаллических алмазных слоев // 2118997

Изобретение относится к изготовлению промышленных алмазов, а точнее к способам изготовления поликристаллических алмазных слоев для электронной промышленности, точной механики, микротехнологии

Способ получения искусственных алмазов // 2122050

Изобретение относится к способам получения алмазов, а более точно к способам прямого превращения графита в алмаз в области термодинамической устойчивости последнего

Способ получения искусственного сверхтвердого материала на основе углерода // 2123972

Изобретение относится к области изготовления сверхтвердых материалов из углеродной массы

Способ получения алмазов // 2124079

Изобретение относится к производству искусственных алмазов с помощью взрыва

Способ получения алмазов // 2124590

Изобретение относится к производству искусственных алмазов способом ударного прессования графитного порошка

Способ термобарического отжига комплексных радиационных дефектов в ядерно-легированных полупроводниковых кристаллических веществах // 2141544

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193609

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193610

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности

Способ получения резистентного кремния // 2202655

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей

Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках после нейтронно-трансмутационного легирования // 2208666

Изобретение относится к области радиационных технологий, преимущественно к нейтронно-трансмутационному легированию (НТЛ) полупроводников, и может быть использовано для определения концентрации легирующей примеси (т.е