Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов
Использование: в качестве защиты p-n-переходов, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем ввода в состав композиции вюрцитного нитрида бора в соотношении, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; вюрцитный нитрид бора 25. 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для использования в качестве защиты p-n-переходов от внешних воздействий, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла.
Известны электроизоляционные кремнийорганические лаки типа КО-916, КО-916А, КО-918, КО-921, КО-922, КО-926, КО-928, КО-945, которые представляют собой растворы кремнийорганических полимеров, модифицированных или немодифицированных органическими соединениями в органических растворителях. Лаки не имеют механических включений, массовая доля нелетучих веществ колеблется от 45























Формула изобретения
КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий роливсан МВ-1 и толуол, отличающийся тем, что в его состав введен вюрцитный нитрид бора при следующем соотношении компонентов, мас.%: Роливсан МВ-1 70Толуол 5
Вюрцитный нитрид бора 25
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к способам изготовления детекторов ионизирующего излучения, и может быть использовано для создания радиационно-стойких детекторов мощности дозы гамма- и рентгеновского излучений
Изобретение относится к способу упаковывания термореактивной смолы, предназначенной для заливки элемента, способ заливки термореактивной смолой элемента и устройству для заливки термореактивной смолой элемента
Микросборка // 1683447
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении микросборок
Устройство для напыления пленок // 1679568
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении микросхем, в лазерной технике при напылении материалов на кристаллы
Способ изготовления интегральных схем // 1671070
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть.использовано при изготовлении аналоговых интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью к стационарному ионизирующему излучению
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных преобразователей механических величин, в частности ускорения
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов с металлокерамических корпусах
Устройство для совмещения и экспонирования // 1611155
Изобретение относится к производству интегральных схем и полупроводниковых приборов, в частности к технологии рентгенолитографиио Цель изобретения - повьпиение выхода годных по лупроводниковых приборов - достигается путем обеспечения лучшей воспроизводимости топологического рисунка в рентгенорезисте подложки В устройстве для совмещения и экспонирования рентгеновское излучение экспонирует через рентгеношаблон 3 подложку I с рентгенорезистом 2 Метку совмещения на подложке I формируют в виде набора плоских р-п-переходов или чередующимися проводящими и непроводящими слоями, а метка рентгеношаблона 3 представляет собой набор координатносопряженных с метками на подложке 1 отверстий в слое золота Рентгеновское излучение проходит через метку рентгеношаблона 3 и поглощается в слоях метки пластины, вызывая изменение величины обратного тока р-п-переходао Совмещенному положению соответствует максимальный обратный ток слоистой структуры р-п-переходаоЗ ил
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании спектрального состава и плотности потока высокоинтенсивного излучения электрофизических установок, в частности линейных ускорителей, импульсных реакторов, где требуются детекторы с высоким временным разрешением, высокой радиационной стойкостью и высокой избирательностью детектора к жесткой части спектра излучения
Фотошаблон для фотолитографии // 2114485
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к устройствам для фотолитографических процессов, и может быть использовано при изготовлении микросхем
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых емкостных акселерометров
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при создании монолитных интегральных схем СВЧ и прежде всего схем миллиметрового диапазона длин волн, монтируемых в волноводный узел
Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и их конструкции и может быть использовано в приборостроении, радиоэлектронике и других областях техники
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых сенсоров с тонкими диэлектрическими мембранами (1-5 мкм)
Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа // 2207658
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных микромеханических датчиков: акселерометров, гироскопов и др
Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем
Устройство для формирования рисунков // 2257603