Патент ссср 206649

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскнв

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 01.Ч1.1966 (№ 1081133/26-1) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 08.Х11.1967. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 20.II.1968

Кл. 21а, 71

42i, 8/02

МПК G Olr

G 0116

Комитет по делам изооретвний и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 536.5.084.7(088.8) Авторы изобретения

Э. Н. Улановский, А. Г, Морозов и И. П. Федоров

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО

СОПРОТИВЛЕНИЯ ТИРИСТОРОВ

Известны устройства для измерения теплового сопротивления тиристоров с периодическим нагревом тиристоров постоянным током в открытом состоянии, Недостатком подобных устройств является недостаточно высокая точность измерения теплового сопротивления, Предлагаемое устройство отличается тем, что, с целью создания на измеряемом тиристоре щелевого режима с экспоненциальным нарастанием напряжения для увеличения точности измерения теплового сопротивления,,накопительный конденсатор RC-цепи связан с измеряемы.;I тиристором через вспомогательный тиристор и постоянный резистор, общий для цепей вспомогательного и измеряемого тиристоров.

На чертеже представлена схема предлагаемого устройства, работа которого происходит следующим образом. Конденсатор 1 через резистор 2 заряжается до напряжения E источника питания 8. Тиристор 4 периодически отпирается внешними импульсами. При этом конденсатор 1 разряжается по цепи 4 вЂ” 5 и на резисторе 5 получается импульс напряжения с крутым передним фронтом и экспоненциальным задним фронтом. Соответственно, на измеряемом тиристоре б напряжение быстро падает, тиристор б выключается, а затем напряжение на нем снова растет по экспоненте до перехода тиристора б в открытое состояние.

Предмет изобретения

Устройство для измерения теплового сопротивления тиристоров, содержащее чакопительную RC-цепь и источник постоянного напря15 жения, питающий также цепь измеряемого тиристора, отличающееся тем, что, с целью создания на измеряемом тиристоре щелевого режима с экспоненциальным фронтом нарастания напряжения, накопительный конденса20 тор RC-цепи связан с измеряемыми тиристором через вспомогательный тиристор и постоянный резистор, общий для цепей вспомогательного и измеряемого тиристоров.

206649

Составитель И. И. Дубсон

Редактор В. В. Сорокина Техред Л. Я. Бриккер Корректоры: Т. С. Кувшинова и Н. В. Черняк

Заказ 4690/8 Тираж 530 Подписное

111;14ИПИ Комнчета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ определения дефектных выпрямителей // 203067

Устройство для проверки парал^етров транзисторов // 203009

Патент 200013 // 200013

Способ определения теплового сопротивлениятиристоров // 200011

Устройство для классификации полупроводниковыхдиодов в // 199935

Полуавтомат для классификации // 197017

Устройство для измерения тепловых параметров // 190490

Патент 184983 // 184983

Способ измерения вольт-амперных характеристик нелинейных элементов // 181195

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим