Фотоэлектронный вакуумный прибор

Авторы патента:

H01J40/16 - имеющие фотоэмиссионный катод, например щелочные фотоэлементы (работающие с использованием вторичной эмиссии H01J 43/00)

200034

Сост а вител ь Я. Б. Герчи ко в

Редактор И. О. Громов Текред Т. П. Курилко Корректоры: А. П. Татаринцева и Л. В. Наделиева Заказ 2989/! 1 Тираж 53о Подписное

LiHHHIIH Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, и

О П И С А Н И Е 2ООО34

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Y Агъ 1 SACVQAА У СВИДЕ и % Pb "Таь 1

Союз Соеетскит

Социалистическил

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 21g, 29/20

Заявлено 14.VI.1966 (№ 1082565/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29.V11.1967. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 29.1Х.1967

МПК Н 01l

УД К 621.383.292:621.385. .832.5(088,8) Комитет ло делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР!

>,:.:. F. . ! i

A. И. Костиенко, М. H. Девятков и В. Ф. Шарихин

Ф л

Физический факультет Московского государственного универс ттетаим, М. В. Ломоносова

Авторы изобретения

Заявитель

ФОТОЭЛ ЕКТРОН Н Ы Й ВАКУУМНЫЙ ПРИБОР

Предмет изобретения

В известных фотоэлектронных приборах критерием характера освещенности фотокатода является величина фотоэлектронного тока с фотокатода.

В описываемом приборе роль фотоэмиссии с фотоэмиссионного слоя сводится к изменению заряда и потенциала на поверхности диэлектрика, на который нанесен этот слой.

Диэлектрик расположен в междуэлектродном промежутке, в котором с помощью специального источника электронов (электронного прожектора) создается облако электронного пространственного заряда с отрицательным значением минимального потенциала (виртуальный катод). Потенциал поверхности диэлектрика является граничным потенциалом виртуального катода, и его изменение может привести к значительному изменению тока через междуэлектродный промежуток.

На чертеже изображена схема предлагаемого прибора.

Электронный поток, сформированный пушкой 1, проходя через отверстие в электроде 2, которое может быть затянуто сеткой, поступает в промежуток между электродами 2 и 3 (промежуток взаимодействия) . Электрод т является коллектором прошедших через промежуток взаимодействия электронов.

В промежутке взаимодействия помещен диэлектрик, форма которого определяется конкретным назначением детектора. Диэлектрический элемент должен иметь такие размеры и помещаться в промежутке взаимодействия таким образом, чтобы проходящий поток

5 электронов мог частично оседать íà его noaepxtroc v, создавая на ней поверхностный заряд. В простейшем случае это может быть прозрачный диэлектрический цилиндр 4, окружающий электронный поток и соосный с ."щм

10 (внутренний диаметр цилиндра больше илн равен диаметру электронного потока). Внутренняя поверхность диэлектрика, обращенная к электронному потоку, покрыта полупрозрачным фотоэмиссионным слоем 5.

15 Интегральная чувствительность предлагаемого прибора достигает 1 л а/л вт, т. е. превышает чувствительность известных вакуумных фотоэлементов, при инерционности, не превышающей по предварительным данным

20 10 вЂ” то сек

Фотоэлектронный вакуумный прибор, содержащий фотоэмиттирующий слой, от.тикаю. и1иися тем, что, с целью повышения чувствительности и быстродействия, фотоэмисс«опный слой нанесен на диэлектрическую под. ложку, помещенную в междуэлектродцьп, 30 прсмсжуток.