Патент ссср 193753
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советскиа
Социалистическиз
Ресоублии
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл. 421, 8/02
Заявлено 29.Х11.1965 (№ 1046061,t26-10) с присоединением заявки ¹
Приоритет
МПК G 01k
УДК 536.532(088.8) йонитет оа делан изобретеиий и атнрытий при Совете Мииистрсв
СССР
Опубликовано 13.111.1967. Бюллетень № 7
Дата опубликоьанпя описания 29.1 .1967
Автор изобретения
А. Я. Губенко
Заявитель
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ РАСТВОРА
ИЛИ РАСПЛАВА ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛОВ
Предмет»зоорстснпя
Известен способ измерения температуры расплава или раствора при выращивании кристаллов, по которому в тигель сверху опускают несколько тсрмогар, которые жестко закрепляются на тигле. При этом прп изменснии уровня расплава изменястся расстояние от спая термопары до фронта кристаллизации, что приводит к неправиль»ым результатам и может привести к дефектам в выращиваемом кристалле.
Предлагаемый способ отличается от известного тем, что тсрмопары закрепляют на фильере, плава|ощей на поверхности раствора или расплава так, чтобы горячие спа» находились под фронтом кристаллизации па заданном расстоянии от него. Это обеспсчиваег непрерывное измерение температуры раствора или расплава на постоянном расстоянии or фронта кристаллизации в непосредственной близости от него.
Термопары защищают от воздействия среды защитными колпачками и располагают под отверстием фильеры радиально, что псключает погрешности за счет теплоотвода по тер. моэлсктродам и арматуре. Чтобы грильера нг двигалась пр» ьращении тигля вместе с расплавом, се фпкси1зуют сто»пером, на котором
5 ф и л г. с1> а:t t o gati p T c B o 0 0 I t t 0 и е р с AI o LL>, а т ь с я и р и изме»с»пи уровня среды. Замер температуры ведется непрерывно в течение всего процесса выращивания кристалла.
Способ измсрс»ия тсмг.ературы раствора пли расплава прп гзыращивашш кристаллов путсгп помещения в растзор плп расплав тер15 монар, от.1ичагои1иися тем, что, с целью обсспсчешгя»спрерывпого измерения температуры раствора плп расплава »а постоп понг расстоянии or фронта кристаллизации в пспосрсдствс»ной олпзост» от пего, термопары за20 крспляюг па ф»льсрс, плавающе»»а поверхности раствора илп расплава так, чтооы 10ря,»е снап наход»лись под фронтом кр»сталлизаци» на заданном расстоянии от него.
