Способ гальванического золочения
Использование1 гальваническое золочение Сущность изобретения: осаждение золотого покрытия из цитратно-фосфатного электролита на импульсном токе с интегральной плотностью 2 мА/см , импульсами напряжений со скошенным задним фронтом крутизной 101-102 В /С при равной длительности импульса и паузы 80 мкс. 1 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (С!)5 С 25 D 3/48, 5/18
I OÑÓÄAPÑTÂÅННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОспАтент сссР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4853637/26 (22). 23.07.90 (46) 23.07.93. Бюл. М 27 (71) Научно-производственное обьединение
"ЭЛАС" (72) Б.А.Нарнов и А,И.Волков (56) Патент ГДР N 218532. кл. С 25 0 3/48, 1984, Патент Ф РГ М 2121150, кл. С 25 D 5/18, 1980.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем.
Целью изобретения является уменьшение удельного сопротивления золотого гальванического покрытия;
Поставленная цель достигается тем, что при гальваническом осаждении золота к электродам ванны прикладывают импульсы напряжения прямоугольной формы со скошенным задним фронтом, крутизну которого устанавливают в диапазон 10 — lO В/С.
Т 2
Пример. На полупроводниковых, пластинах диаметром 60 мм методом вакуумного напыления формировали контактный слой золота, Затем с использованием позитивного фоторезиста формировали маску для гальванического осаждения золота.
С целью исследования качества гальванического покрытия золотые элементы изготав, ливались в виде полосков шириной 500 мкм и длиной 40 мм.
БЫ„„1828880 А1 (54) СПОСОБ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЗОЛОЧЕНИЯ (57) Использование: гальваническое золочение. Сущность изобретения: осаждение золотого покрытия иэ цитратно-фосфатного электролита на импульсном токе с интегральной плотностью 2 MA/см, импульсами напряжений со скошенным задним фрОнтом крутизной 10 — 10 В/С при равной дли1 2 тельности импульса и паузы 80 мкс. 1 табл.
Для осаждения использовался цитратно-фосфатный электролит гальванического осаждения золота следующего состава, г/л: 3
Дицианоаурат калия 8
Лимонная кислота 80
Ортофосфорная кислота 25
Для процесса гальванического осаждения к электродам ванны. прикладывали прямоугольные импульсы напря жения длительностью 80 мкс с паузой 80 мкс, ско- ©© шенным задним фоонтом и крутизной заднего. фронта 10 -10 В/С. Импульсы формировали с помощью потенциостата CO
П50И-1 и программатора ПР— 1. Время осаж- QO дения — 40 мин, интегральная плотность то- QQ ка 2 мА/см, толщина золотого покрытия — {"
5 мкм. Измерение сопротивления золотых полосков проводили 4-зондовым методом с .использованием зондовой головки ПБЛ
7700-4004; Ток и напряжение фиксировались с помощью приборов ЦУИП и 13 МП05-.-001.
1828880
Таким образом, наилучшие параметры покрытий по сопротивлению получены при крутизне заднего фронта ормующего импульса в диапазоне 10 -10 В/L.
Составитель Б,Нарнов
Техред М.Моргентал Корректор Н. Милюкова
Редактор
Заказ 2468 Тираж. Подписное
ВНИИПИ Государствейного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
1.136 35, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-иэдательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101
Результаты измерения сопротивления покрытия представлены в таблице.
Минимальное сопротивление золотой пленки 2,47 10 Ом м получено при использовании импульса с крутизной заднего фронта 10 B/С. При увеличении крутизны фронта от 10 В/С удельное сопротивление
1 возрастает до 2,8 10: GM м. Полученное в этом режиме покрытие имеет менее гладкую поверхность. Уменьшение крутизны заднего фронта до 10 B/C приводит к возрастанию сопротивления до 3,6 10
Ом.м, цвет покрытия в этом случае темный, пленка имеет слабую адгезию. Покрытие, сформированное в импульсном режиме нулевой крутизной заднего фронта (прототип) имеет сопротивление 3,96 10 Ом м, покрытие темное со слабым блеском. а
Технико-зкономическая эффективность предлагаемого изобретения заключается в повышении выхода годных приборов при изготовлении изделий микроэлектроники эа
5 .счет снижения на 387; сопротивления золотого покрытия, Твк, при использовании способа, приведенного в качестве прототипа. сопротивление гальванической пленки составляет
10 3,96 10 Ом м, а при использовании изобретения (2;47-2,86) 10 Ом м.
Формула изобретения
Способ гальванического золочения, преимущественно из цитратно-фосфатного электролита, включающий осаждение на импульсном токе прямоугольной формы, о т-: л.и ч а ю шийся тем, что, с целью снижения удельного сопротивления покрытия, осаждение ведут при интегральной плотности тока 2 мА/см импульсами напряжения со. скошенным задним фронтом крутизной .
10:10 В/С при равной длительности имг пульса и. паузы 80 мкс.
