Патент ссср 183480

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ceca Созетониз

Социалистическин

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 31 1!!.1964 (№ 1002514/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17.VI.1966. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 20 VIII.1966

Кл. 42гп, 14

МПК 6 06f

УДК 681.142.07(088.8) Комитет по Полам изобретений и открытий при Совете Министроа

СССР

ОДНОВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ

Известны одновибраторы на транзисторах с эмиттерной времязадающей связью и генератором тока в цепи эмиттера управляющего транзистора.

Предложенный одновибратор отличается от известных тем, что его выход соединен с эмиттером управляемого транзистора полупроводниковым диодом, включенным в прямом направлении, что позволяет повысить стабильность работы и быстродействие, так как восстановление схемы происходит по замкнутому пути внутри самой схемы.

Кроме того, в предложенном устройстве возможна регулировка порога срабатывания изменением сопротивления, включенного между выходом и коллектором управляющего транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема одновибратора.

Одновибратор содержит управляющий транзистор Тт, управляемый транзистор Т, генератор тока Г ту, времязадающую емкость С, полупроводниковый диод Д, коллекторное сопротивление Р» и сопротивление r„регулирующее порог срабатывания.

В положении устойчивого равновесия транзистор Т, открыт, так как в его эмиттер задается определенный ток от генератора тока Гш.

Диод Д не проводит ток, так как емкость С полпостью перезаряжена, При подаче на вход импульсного сигнала положительной полярности растет напряжение (Ь,э) на эмиттере транзистора Т1, что вызывает рост напряжения (U э) на эмиттере управляемого транзистора Т, В момент времени, когда емкость С пе успела еще перезарядиться на достаточную величину, чтобы нарушить приближенное равенство Ь,э =(/ э, транзистор Та отпирается, замыкается цепь положительной обратной

1р связи выхода транзистора Т1 с его эмиттером, и через эмиттерный повторитель на транзисторе Т- и времязадающую емкость С развивается лавинообразный регенератпвный процесс, приводящий к запирапию транзистора Т,. На

15 эмиттере транзистора Тт возникает скачок напряжения отрицательной полярности, по величине соответствующий напряжению па выходе схемы, а затем напряжение на эмиттере и»чинает расти линейно вследствие заряда емко2р сти С постоянным током от генератора тока

Г (т) . Как только напряжение на эмиттере транзистора Т, станет равным напряжению на его базе — транзистор Т, отпирается, конденсатор С перезаряжается через открытый транзистор Т, и внутреннее сопротивление диода Д.

В практической схеме постоянная восстановления схемы может составить не более

1О сек. Напряжение на выходе схемы дости3Q гает номинальной величины.

183480

Предмет изобретения

Составитель IO. М. Ьольшов

Редактор Л. А. Утехина Техред А. А. Камышникова Корректоры: Е. Д. Курдюмова и С. H. Соколова

Заказ 2276д8 Тираж !075 Формат бум. 60+90 /8 Объем О,!6 изд. л. Подписное

Ц!1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров i. Ñ(.Ð

Москва, Центр, пр. Серова, и. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Отношение постоянной времени восстановления схемы к длительности формируемого импульса во всем диапазоне частот постоянно и определяется в основном величинами сопротивлений R, прямого сопротивления диода Д и сопротивления открытого транзистора Т,.

Длительность формируемого импульса не зависит от изменения величины тока заряда емкости С и практически не зависит от изменения величины смещения на базе управляющего транзистора и изменения температуры.

В качестве генератора тока может быть использован транзистор или большое по величине токостабилизирующее сопротивление, но в последнем случае схема более чувствительна к измененгно параметров питающего напряжения.

1. Одцовибратор на транзисторах с эмиттерной времязадающей связью между управляе5 мым и управляющим транзисторами и генератором тока в цепи эмиттера управляющего транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и быстродействия, между выходом устройства и эмиттером

10 управляемого транзистора включен в прямом направлении полупроводниковый диод.

2. Одновибратор по п. 1, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования порога срабатывания, между выходом устройства

15 и коллектором управляющего транзистора включено сопротивление.