Способ определения концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводниковыхматериалов

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24.I 1.1964 (№ 882998/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 22.V1.1965, Бюллетень ¹ 12

Дата опубликования описания 17ХП.1965

Кл. 21g, 11ц

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК Н 011

УДК 621.315: 592(088.8) ВСс pQ;,„

Е. A. Ефимов, И. Г. Ерусалимчик, 1О, А. Концевой, В, Д. Кудин т-." ..пс

E. И. Горгораки, В. В. Майоршин и Е. В. Блинникова-Вяземска а м ° - ° >

Предприятие Госкомитета по электронной технике СССР

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕИ ТОКА

В ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ

Подписная группа № 97

Известны способы для определения концентрации носителей тока в тонких приповерхностных слоях, осуществляемые зондовым методом и методом измерения пробивного напряжения контакта металл †:полупроводник.

Предложенный способ определения концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводниковых материалов отличается от известных тем, что для обеспечения возможности контроля концентрации носителей тока тонких слоев независимо от абсолютной толщины пленки, повышения точности и упрощения измерений образец помещают в электролит, через границу раздела электролит — полупроводник пропускают постоянный ток и определяют величину тока, при котором величина фото-э.д.с., возбуждаемой при импульсном освещении границы раздела полупроводник— электролит, равна нулю.

Для предварительной обработки поверхности эпитаксиальных пленок германия и кремния предложены травители и составы электролитов: для германия 15 — 18% НГ и для кремния 5 — 18% HF.

Эпитаксиальные пленки предварительно обрабатывают: кремний в травителе, содержащем 1 г HF (42%)+4 г НКОз (65%), и германий в травителе, содержащем 15 г

Н СН СООН+10 г HNO) (65%)+5 г HF (42%) .

Лаком ХСЛ наклеивают кольцо из фторопласта, в которое заливают каплю электролита и опускают в нее два платиновых электрода. Один из электродов служит для пропускания постоянного тока, а другой — фиксирует фотопотенциал. Контакт с низкоомной подложкой осуществляется через электролит.

Граница раздела пленка — электролит освещается импульсами света от лампы-вспышки

10 с применением фильтра, создающего поверхностное возбуждение. Измерение производят, подавляя фото-э.д.с. постоянным током, пропускаемым через границу раздела полупроводник — электролит. Наблюдение фотопотен15 циа,TB и момент его исчезновения производят по переднему фронту импульса, возникающего на экране осциллографа. Это исключает влияние ошибок вследствие дембер-эффекта плп эффекта на границе раздела электролит—

20 подложка.

Предмет изобретения

Способ определения концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупро25 водниковых материалов с использованием светового импульсного возбуждения, отличаюцится тем. что, с целью обеспечения возможности контроля концентрации носителей то (а тонких слоев (порядка ми (рона) незави30 симо от абсолютной толщины пленки, повы171925

Составитель О. 6. Федюкина

Редактор H. С. Коган Текред Л. К. Ткаченко Корректор В. Н. Маркова

Заказ 1541>9 Тираж 1575 Формат бум. 60 90 /8 Обьем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 щения точности и упрощения измерений, испытуемый образец помещают в электролит, через границу раздела полупроводник — электролит пропускают постоянный ток и определяют величину тока, при котором величина фото-э.д.с., возбуждаемой при импульсном освещении границы раздела полупроводник— электролит, равна нулю.

Способ определения концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводниковыхматериалов Способ определения концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводниковыхматериалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к аналитическому приспособлению, в частности к монтажным конструкциям датчика состава газа, и может найти применение в области анализа газовой среды

Изобретение относится к устройствам для контроля параметров газовых сред, в частности к чувствительным элементам газоанализаторов, и может быть использовано для обнаружения и определения концентраций таких горючих и токсичных газов, как, например, H2, CO, C2H5OH, CnH2n+2, H2S, SO2, в горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической промышленностях, экологии и других отраслях деятельности

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано в устройствах контроля состава веществ, их идентификации, а также определения наличия в них примесей с аномальной электрической проводимостью

Изобретение относится к физико-химическим методам исследования окружающей среды, а именно к способу определения концентрации ионов в жидкостях, включающему разделение пробы анализируемого и стандартного веществ ионоселективной мембраной, воздействие на анализируемое и стандартное вещества электрическим полем и определение концентрации детектируемых ионов по их количеству в пробе, при этом из стандартного вещества предварительно удаляют свободные ионы, а количество детектируемых ионов в пробе определяют методом микроскопии поверхностных электромагнитных волн по толщине слоя, полученного из ионов путем их осаждения на электрод, размещенный в стандартном веществе, после прекращения протекания электрического тока через стандартное вещество

Изобретение относится к электрохимическому анализу и может быть использовано при создании аппаратно-программного средств для контроля состава и свойств веществ в различных областях науки, техники, промышленности, сельского хозяйства и экологии, а также для электрохимических исследований

Изобретение относится к области физики-химических исследований и может быть использовано в химической и других родственных с ней отраслях промышленности

Изобретение относится к области аналитической химии, а именно к способу инверсионно-вольт-амперометрического определения разновалентных форм мышьяка в водных растворах, основанному на электронакоплении As (III) на стационарном ртутном электроде в присутствии ионов Cu2+ и последующей регистрации кривой катодного восстановления сконцентрированного арсенида меди, включающему определение содержания As (III) на фоне 0,6 M HCl + 0,04 M N2H4 2HCl + 50 мг/л Cu2+ по высоте инверсионного катодного пика при потенциале (-0,72)В, химическое восстановление As(V) до As (III), измерение общего содержания водорастворимого мышьяка и определение содержания As(V) по разности концентраций общего и трехвалентного мышьяка, при этом в раствор, проанализированный на содержание As (III), дополнительно вводят HCl, KI и Cu2+, химическое восстановление As(V) до As (III) осуществляют в фоновом электролите состава 5,5M HCl + 0,1M KI + 0,02M N2H4 2HCl + 100 мг/л Cu2+, электронакопление мышьяка производят при потенциале (-0,55 0,01)В, катодную вольт-амперную кривую регистрируют в диапазоне напряжений от (-0,55) до (-1,0)В, а общее содержание мышьяка в растворе определяют по высоте инверсионного пика при потенциале (-0,76 0,01)В

© Патентный поиск, поиск патентов на полезные модели - PoleznayaModel.RU 2012-2024
Игромания Политика конфиденциальности Реклама на сайте Вход/Регистрация
Рейтинг@Mail.ru
Наверх