Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора
Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора, включающий индукционное плавление шихты в водоохлаждаемом тигле и выращивание монокристаллов при температуре 0,8-1,0 температуры плавления соединения в атмосфере защитного газа гарнисажным методом, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве шихты используют предварительно переплавленную и измельченную до дисперсности 0,1-3 мм исходную шихту или ее смесь с исходной шихтой, взятой в количестве не более 15 мас.%.
Похожие патенты:
Изобретение относится к способам выращивания кристаллов из паровой фазы и может быть использовано для выращивания относительно крупных объемных кристаллов карбида кремния α-модификации
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано для изучения процесса роста эпитаксиальных слоев
Способ получения слоев карбида кремния // 1398484
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы
Изобретение относится к области получения монокристаллического материала, а именно SiC, кристаллизацией из паровой фазы с конденсированием кристаллизующегося вещества и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе карбида кремния
Патент 401042 // 401042
Патент 396862 // 396862
Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить спектральное пропускание деталей из монокристаллов, прозрачных в вакуумной и ультрафиолетовой областях спектра
Изобретение относится к технологии полупроводников-сложного состава, в частности к получению гетерострук- , тур, оба компонента которых принадлежат к соединениям класса А В С
Способ получения полиродана // 1629246
Травитель для монокристаллов нитрита натрия // 1612000
Способ получения кристаллов // 1535077
Изобретение относится к технологии оптических монокристаллов и позволяет повысить качество кристаллов иодата лития (-LiO3)
Изобретение относится к области нелинейной техники и может быть использовано для изготовления параметрических преобразователей частоты оптического излучения (ППчОИ), обеспечивает повышение выхода преобразователя
Состав для полирования монокристаллов // 1450438
Способ выращивания кристаллов -liio3 // 1309621
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике
Способ получения амплитудных фильтров // 1647044
Изобретение относится к электронной технике и позволяет расширить спектральный диапазон пропускания амплитудных фильтров в ближнюю инфракрасную область спектра и сократить толщину фильтра за счет увеличения коэффициента поглощения на краях в видимой области спектра