Инвертор
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в интегральных микросхемах повышенного быстродействия . Цель изобретения - повышение быстродействия инвертора путем уменьшения времени включения транзисторов , При подаче на базу транзистора 4 высокого уровня напряжения он открывается. Так как транзисторы 3, 5 уже были открыты протекающими токами баз, то через минимальное время потенциалы на базах транзисторов 2 и 6 достигают значения 0,7 В и приводят к их открыванию. Напряжение на базе транзистора 1 и выходе схемы уменьшается до величины менее 0,5 В, при этом транзистор 1 закрыт, а транзистор 2 открыт, 1 ил.
COIO3 СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ t",- "," "- ". ",„.„„,, К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
О (21) 4748941/21 (22) 11.10.89 (46) 07.09.91. Бюл. М 33 (72) А.Л.Кондратюк, В.И.Яковцев и
В.Г. Ш пако вский (53) 621.382 (088.8) (56) Патент США
М 4228371, кл. Н 03 К 17/00, 1980.
Авторское свидетельство СССР
ЬЬ 344585, кл. Н 03 К 19/08, 1972. (54) ИНВЕРТОР (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в интегральных микросхемах повышенного быст./
„„ Я„„1676092 А1. (s1)s Н 03 К 19/08 родействия. Цель изобретения — повышение быстродействия инвертора путем уменьшения времени включения транзисторов, При подаче на базу транзистора 4 высокого уровня напряжения он открывается, Так как транзисторы 3, 5 уже были открыты протекающими токами баз, то через минимальное время потенциалы на базах транзисторов 2 и 6 достигают значения 0,7 В и приводят к их открыванию. Напряжение на базе транзистора 1 и выходе схемы умень- . шается до величины менее 0,5 В, при этом транзистор 1 закрыт, а транзистор 2 открыт, .1 ил.
167609?
40 лектор последнего соединен с коллектором. пятого транзистора 5, база и коллектор четвертого транзистора 4 подключены соответ- 45
5>0
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в интегральных микросхемах повышенного быстродействия, Цель изобретения — повышение быстродействия инвертора за счет уменьшения времени включения транзисторов, На чертеже представлена схема инвертора.
Инвертор содержит шесть транзисторов 1-6, восемь резисторов 7-14, первый 15 и второй 16 диоды, причем коллектор первого транзистора 1 через первый резистор
7 подключен к шине 17 питания и первым выводам второго 8, третьего 9 и четвертого
10 резисторов, эмиттер первого транзистора 1 соединен с выходной шиной 18 и коллектором второго транзистора 2, эмиттер которого подключен к общей шине 19 и первым выводам пятого 11 и шестого 12 резисторов, второй вывод пятого резистора 11 соединен с базой второго транзистора 2 и эмиттером третьего транзистора 3, коллектор которого подключен к эмиттеру четвертого транзистора 4, второй вывод шестого резистора 12 соединен с эмиттером пятого транзистора 5, база которого подключена к второму выводу второго резистора 8.
Второй вывод третьего резистора 9 соединен с первым выводом седьмого резистора 13, база первого транзистора 1 подключена к второму выводу четвертого резистора 10, первому выводу и рвога диода.15 и коллектору шестого транзистора 6, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база — с эмиттером пятого транзистора 5, база последнего через восьмой резистор 14 подключена к второму выводу первого диода 15, выходная шина 18 через второй диод
16 соединена с вторым выводом седьмого резистора 13, первый вывод которого подключен к базе третьего транзистора 3, Kîïственно к общей шине 19 и шине 17 питания.
Инвертор, работает следующим образом, При подаче на базу транзистора 4 низкого уровня напря.кения (менее 0,5В) транзистор 4 закрыт и то:: его эмиттера отсутствует, Соотношение резисторов 9 и
11, S и 12 таковы, что протекающие через базы транзисторов 3 и 5 токи создают на базах транзисторов 2 и 6. падение напряжения менее 0 5В, при этом транзисторы 2 и 6 закрыты, на базе транзистора 1 высокий уровень, приближающийся к напряжению
35 источника питания, и на выходе схемы также устанавливается высокий уровень, При подаче на базу транзистора 4 высокого уровня напря>кения более 2,4В транзистор 4 открывается, в коллекторы транзисторов 3 и 5 начинает втекать ток. Так как транзисторы 3 и 5 уже были открыты протекающими токами баз, то через минимальное время потенциалы на базах транзисторов 2 и 6 достигают значения 0,7 — 0,8 В и приводят к открыванию перечисленных транзисторов, соответственно, напряжения на базе транзистора 1 и выходе схемы уменьшается до величины менее 0,5В, при этом транзистор 1 закрыт, транзистор 2 открыт, на выходе — низкий потенциал, менее
0,5 В, при этом открываются первый 15 и второй 16 диоды и через резисторы 13 и 14 ток из баз транзисторов 3 и 5 ответвляется и, соответственно, транзисторы 2 и 3, 5 и 6 подзакрываются, что ограничивает степень насыщения транзисторов 2 и 6, при этом обеспечивается выходное напряжение низкого уровня менее 0,5 B.
При подаче низкого уровня менее 0,5 В на базу транзистора 4 последний закрывается и уменьшение тока коллектора транзисторов 3 и 5 приводит к быстрому уменьшению тока их эмиттеров и уменьшению напряжения на базах транзисторов 2 и
6. Учитывая то, что транзисторы 2 и 6 работают в ненасыщенном режиме, они быстро выключаются, открывается транзистор 1 и на выходе схемы устанавливается высокий уровень напря>кения более 2,4.
Быстродействие предлагаемого инвертора выше, чем у известных, за счет уменьшения времени включения транзисторов.
Формула изобретения
Инвертор, содержащий шесть транзисторов и восемь резисторов, коллектор первого транзистора через первый резистор подключен к шине питания и первым выводам второго, третьего и четвертого резисторов, эмиттер первого транзистора соединен с выходной шиной и коллектором второго транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине и первым выводам пятого и шестого резисторов, второй вывод пятого резистора соединен с базой второго транзистора и эмиттером третьего транзистора, коллектор которого подключен к эмиттеру четвертого транзистора, второй вывод шестого резистора соединен с эмиттером пятого транзистора, база которого подключена к второму выводу второгоо резистора, второй вывод третьего резистора соединен с первым выводом седьмого резистора, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения быстродействия, введены первый и второй
1676092
Составитель Д.Иванов
Техред М. Моргентал
Корректор О.Кравцова
Редактор Н.Гунько
Заказ 3013 Тираж 7 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 диоды, база первого транзистора подключена к второму выводу четвертого резистора, первому выводу первого диода и коллектору шестого транзистора. эмиттер которого соединен с общей шиной, а база -с эмиттером пятого транзистора, база которого через восьмой резистор подключена к второму выводу первого диода, выходная шина череэ второй диод соединена с вторым выво.-. дом седьмого резистора, первый вывод ко торого подключен к базе - третьего транзистора, коллектор которого соединен
5 с коллектором пятого транзистора, база и коллектор четвертого транзистора подключены соответственно к входной шине и шине питания.


