Способ изготовления кремниевых многослойных структур

Авторы патента:

H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 10¹⁶ см^-2 и суммарной дозой (2 - 6)10¹⁷ см^-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450^oC.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения эпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов

Способ изготовления многослойных кремниевых структур // 1584645

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем // 1575832

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером шоттки // 1574110

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии создания полевых транзисторов с барьером Шоттки с применением ионной имплантации

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия // 1563510

Способ изготовления кремниевых многослойных структур // 1552933

Способ получения структуры "кремний на изоляторе" // 1545845

Способ изготовления диодов шоттки // 1530009

Способ изготовления светодиодных структур // 1524738

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению на основе SiC источников света с излучением в зеленой области спектра

Способ изготовления многослойных кремниевых структур // 1499609

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении

Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718

Изобретение относится к электронной и вакуумной технике

Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств // 2173003

Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур

Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689

Способ ионного легирования твердых тел // 2193080

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников

Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок // 2204179

Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий

Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ многоэлементной ионной имплантации (варианты) // 2285069

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств