Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения токов утечки и повышения подвижности свободных носителей заряда, в качестве компенсирующей примеси используют германий, легирование осуществляют до концентраций дырок от 10¹² до 10¹⁶ см^-3, после изготовления подложек на них дополнительно наносят слои диэлектрика, в качестве имплантируемых ионов используют ионы галогенов, преимущественно фтора или хлора, причем имплантацию ведут через слой диэлектрика дозами 3,1 10¹³ - 6,25 10¹⁴ см^-2, а отжиг осуществляют в изотермическом режиме при температуре 300 - 360^oC.