Патент ссср 153978

№ 153978

Класс Н 01/; 21g 11аа б 01г; 21g, 13.а

СССР

I, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 97

И. С. Гурвич

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДОПУСТИМОГО ОБРАТНОГО

НАПРЯЖЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Заявлено 7 марта 1962 r. за ¹ 767705/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бголлетене изобретений и товарных знаков» № 8 за 1963 г.

Известны устройства для измерения допустимого обратного напряхкения полупроводниковых приборов, содержащие источник испытательного напряжения, подаваемого на переход полупроводникового прибора, и блок контроля мощности, рассеиваемой на переходе. Однако в этих устройствах не предусматривается автоматической установки заранее заданной величины мощности рассеивания на полупроводниковом приборе или они очень сложны.

Предлагается устройство, в котором для автоматизации процесса установления величины допустимой мощности при измерении обратного напряжения в условиях повышенной (50 — 70-") температуры окружающей среды в качестве блока контроля мощности использован диодный функциональный преобразователь, включенный последовательно с исследуемым полупроводниковым прибором; преобразователь аппроксимирует в заданном диапазоне напряжений Е.,н„— „,.U функцию

I àï.

I =, где I — ток через преобразователь; Ра,„— величина допустимой мощности рассеивания на переходе исследуемого прибора; Е— э. д.с, источника питания; U„« †напряжен на преобразователе.

Иа фиг. 1 изобрахкена электрическая схема описываемого устройства с многозвепным диодным функциональным прсобразователем; на фиг. 2 — электрическая схема устройства с диодным функциональным преобразователем, в котором опорное напряжение снимается с делителя на сопротивлениях Я „R, на фиг, 3 — Вольтампсрные характеристики р-и переходов плоскостных полупроводниковых приборов. № 153978

На фиг. 1 при последовательно включенных источнике 1 стабилизированного напряжения Е, полупроводниковом приборе 2 (диод или триод) и диодном функциональном преобразователе 3 напряжение на испытуемом полупроводниковом приборе равно У=Š— U@. В то же время вольтамперная характеристика функционального преобразователя описывается формулой I= " = "; таким образом, мощU Š— Up ность, выделяющаяся в переходе полупроводникового прибора, равна:

P = I U = " (E — U„.) = Рд,„— — const.

E — Up

Вольтметр 4 (с большим внутренним сопротивлением, например катодный), включенный параллельно с полупроводниковым прибором, показывает напряжение на переходе U. При этом возможны следующие случаи.

1. Вольтамперная характеристика перехода имеет вид а. Тогда

Ь = У„ т, е. вольтметр 4 показывает допустимое обратное напряжение перехода (при заданных температуре окружающей среды и мощности рассеяния Р а,„) .

II. Вольтамперная характеристика перехода имеет вид б. Тогда

U= U;, т. е. вольтметр 4 показывает пробивное напряжение перехода (при заданной температуре окружающей среды).

III. Вольтамперная характеристика перехода имеет вид в. Тогда

U=L „т. е. данный полупроводниковый прибор нельзя использовать при заданных температуре окружающей среды и мощности рассеяния

Р „, так как он может быть при этих условиях поврежден (пробит).

В этом случае можно аналогично определить допустимое напряжение такого прибора для более низкой температуры окружающей среды или меньшей допустимой мощности рассеяния.

Чтобы определить, какой случай имеет место, необходимо повысить (на 5 — 10%) напряжение источника питания Е. Если при этом напряжение U, которое показывает вольметр 4, повысится, то это ознаdl чает, что имеет место случай а ()О).

du

Если напряжение U практически не меняется, то это означает, что

dl имеет место случай б (— =со ). и Я

Если напряжение U уменьшится, то это означает, что имеет место

dI случай в (— (О). Того же результата можно достичь, меняя не Е, а

du

Рд,„ . Для этого последовательно к полупроводниковому прибору следует сначала подсоединить функциональный преобра" îâàòå,ë.ü 8, который обеспечивает Р,„=сопз1, и замерить напряжение на переходе.

Затем подсоединить функциональный преобразователь 8, обеспечивающий Р д,„— — сопз1, по величине на 5 — 10% больший, чем Рд,„, и снова замерить напряжение на переходе. Правила определеия того, какой случай имеет место, остаются теми же.

Источники опорного напряжения для звеньев преобразователя 3 можно получить с помощью делителей, подключаемых к источнику питания Е.

Предлагаемое устройство может применяться для контроля или отбора полупроводниковых приборов, используемых для работы в условиях высоких те лператур окружающей среды (50 — 70 ). о 1539/Я

Предмет изобретения

Устройство для измерения допустимого обратного напряжения полупроводниковых приборов, содержащее источник испытательного напряжения, подаваемого на переход полупроводникового прибора, и блок контроля мощности, рассеиваемой на переходе, о т л и ч а ю щ е еся тем, что, с целью автоматизации процесса установления величины допустимой мощности рассеивания при измерении обратного напряжения в условиях повышенной (50 — 70 ) температуры окружающей среды, в качестве блока контроля мощности используется включенный последовательно с полупроводниковым прибором диодный функциоРдол нальный преобразователь, аппроксимирующий функцию I=

Š— Ug где I —; Р д,„— величина допустимой мощности рассеивания на переходе исследуемого прибора; Š— э. д. с. источника испытательного напряжения; U,/ — напряжение на преобразователе. Р//г /